Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksitt&auml

DDTB143TU-7-F

osa: 171626

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

DDTC143ZLP-7

osa: 167812

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V,

Toivelistaan

DDTA124XE-7-F

osa: 106332

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

DDTA144EKA-7-F

osa: 1900

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

DDTA115TCA-7-F

osa: 191696

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

DDTA122LE-7-F

osa: 127148

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 220 Ohms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

DDTC143FUA-7-F

osa: 155034

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

DDTC124EUA-7-F

osa: 9982

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

DDTC144EKA-7-F

osa: 3239

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

DDTC114EE-7-F

osa: 102494

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

RN1104ACT(TPL3)

osa: 1956

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

osa: 126325

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

UNR411H00A

osa: 1962

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

UNR911TG0L

osa: 1889

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

UNR92ALG0L

osa: 1970

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

UNR511EG0L

osa: 1970

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

UNR511F00L

osa: 166775

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

DTA113ZCAHZGT116

osa: 9941

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

DTC123YETL

osa: 137111

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

DTA114GKAT146

osa: 143116

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PDTC124TK,115

osa: 1921

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

PDTA124EE,115

osa: 1920

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PDTC124EK,115

osa: 2035

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PDTC124TS,126

osa: 1989

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

PDTA144TE,115

osa: 3251

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PDTC124EU,115

osa: 109049

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PDTD123TT,215

osa: 187852

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PDTD123ET,215

osa: 165507

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Toivelistaan

DTC114TM3T5G

osa: 126995

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

NSBC114YF3T5G

osa: 144543

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

SMUN5115T1G

osa: 172520

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

FJN4306RTA

osa: 2013

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan