Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittä

DRA9144E0L

osa: 150130

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

UNR9115J0L

osa: 136579

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

UNR5114G0L

osa: 3271

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

UNR52AEG0L

osa: 1882

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

UNR521WG0L

osa: 1967

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

UNR5119G0L

osa: 160380

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

UNR5111G0L

osa: 1872

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

DRC2114E0L

osa: 125127

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

UNR5213G0L

osa: 2154

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

UNR921KJ0L

osa: 3253

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

DRC5123E0L

osa: 157476

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

DRA5123Y0L

osa: 145731

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

DDTC124EE-7-F

osa: 105631

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

DDTA143FUA-7-F

osa: 195382

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

DDTC115EE-7-F

osa: 9908

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

DDTC114YCA-7-F

osa: 163177

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

DRDNB16W-7

osa: 160137

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased + Diode, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

DDTC115TE-7-F

osa: 101547

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

DTC114EM3T5G

osa: 124245

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

FJV3107RMTF

osa: 2014

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

MUN2133T1

osa: 1930

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

NSVMUN5237T1G

osa: 181095

NSBA113EF3T5G

osa: 117274

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 1 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

MUN2211JT1

osa: 1923

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

MUN2236T1

osa: 3292

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

DTC123EUAT106

osa: 177210

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

DTA014EUBTL

osa: 190384

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

DTC114EBT2L

osa: 1918

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

DTA123JEBHZGTL

osa: 9994

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

PDTA124TS,126

osa: 1970

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

PDTD113ZS,126

osa: 1953

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

PDTC143ZE,115

osa: 2005

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

PDTC144ES,126

osa: 1970

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

RN1316,LF

osa: 199880

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

PDTC123ET,215

osa: 108480

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

PDTD113ET,215

osa: 111240

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 1 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,