Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

FST10020

osa: 1563

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MBR300150CTR

osa: 1446

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

osa: 1286

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 125A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A12

osa: 3213

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.35V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A120

osa: 2552

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 160A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 160A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MURT20040

osa: 1224

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

osa: 1264

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

osa: 795

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTR

osa: 1429

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MBR50020CTR

osa: 1148

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040

osa: 1070

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 250A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300100(A)D

osa: 1265

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MBRT400150R

osa: 1842

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CTR

osa: 1542

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060C-M3/4W

osa: 101161

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045C-M3/4W

osa: 129871

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40100G-E3/4W

osa: 75843

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12WM100C-M3/I

osa: 129155

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-E3/4W

osa: 55592

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.43V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D120CHM3/I

osa: 60897

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 960mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120C-E3/4W

osa: 78055

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT10202C-M3/4W

osa: 110034

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW15C-M3/I

osa: 198027

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.24V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

M3060C-E3/4W

osa: 92762

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM10C-M3/I

osa: 165903

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 820mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-E3/4W

osa: 124012

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Micro Commercial Co

MF150C06F2-BP

osa: 2098

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Power Integrations

LQA30T150C

osa: 43099

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Power Integrations

LQA30B200C

osa: 26345

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Infineon Technologies

DD98N25KHPSA1

osa: 59

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 2500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 98A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.53V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Infineon Technologies

DD89N18KHPSA1

osa: 110

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 89A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

STMicroelectronics

STPS640CBY-TR

osa: 109388

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

STMicroelectronics

STPS3045CGY-TR

osa: 71830

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

SMC Diode Solutions

MBRF4080CTL

osa: 180945

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

SMC Diode Solutions

MBRF3040CT

osa: 172747

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2090 C0G

osa: 130

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan