Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

BAS70-05W,135
Nexperia USA Inc.

BAS70-05W,135

osa: 153080

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 70mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54AW,115
Nexperia USA Inc.

BAT54AW,115

osa: 195398

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV23,235
Nexperia USA Inc.

BAV23,235

osa: 106803

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 225mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAS40-05,215
Nexperia USA Inc.

BAS40-05,215

osa: 148466

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV23CVL
Nexperia USA Inc.

BAV23CVL

osa: 187211

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 225mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAT54A,215
Nexperia USA Inc.

BAT54A,215

osa: 173559

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54C,215
Nexperia USA Inc.

BAT54C,215

osa: 197491

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAW156VL
Nexperia USA Inc.

BAW156VL

osa: 117464

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 160mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAS40-06,235
Nexperia USA Inc.

BAS40-06,235

osa: 193366

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAS70-05,235
Nexperia USA Inc.

BAS70-05,235

osa: 179736

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 70mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAS40-05,235
Nexperia USA Inc.

BAS40-05,235

osa: 178580

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV199,235
Nexperia USA Inc.

BAV199,235

osa: 117134

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 160mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAW56W,115
Nexperia USA Inc.

BAW56W,115

osa: 115100

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV70W,115
Nexperia USA Inc.

BAV70W,115

osa: 163270

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 175mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAS70-04,235
Nexperia USA Inc.

BAS70-04,235

osa: 147682

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 70mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54S-HE3-18

osa: 142469

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54C-HE3-18

osa: 122257

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54A-HE3-18

osa: 196767

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54A-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54A-G3-08

osa: 166894

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54A-G3-18

osa: 159795

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV99-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV99-G3-08

osa: 165404

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54C-E3-18

osa: 106716

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54S-E3-18

osa: 147450

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54A-E3-18

osa: 194685

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV70-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV70-HE3-08

osa: 138790

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAV99-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV99-HE3-08

osa: 113998

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAW56-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW56-HE3-08

osa: 178382

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAV99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV99-E3-08

osa: 165471

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAW56-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW56-E3-08

osa: 130253

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAW56-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW56-G3-18

osa: 178220

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAV99-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV99-G3-18

osa: 192560

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV70-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV70-HE3-18

osa: 103017

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAW156E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAW156E6327HTSA1

osa: 190801

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV70,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

BAV70,LM

osa: 3367

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAV99W,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

osa: 3300

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAV99,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

osa: 3315

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan