Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

BAV99T-7-F
Diodes Incorporated

BAV99T-7-F

osa: 146128

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 85V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 75mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV199Q-7-F
Diodes Incorporated

BAV199Q-7-F

osa: 192574

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 85V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 140mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 50mA, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAV99BRV-7
Diodes Incorporated

BAV99BRV-7

osa: 135499

Diodin kokoonpano: 2 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAV199W-7
Diodes Incorporated

BAV199W-7

osa: 182301

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 85V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 140mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAS116V-7
Diodes Incorporated

BAS116V-7

osa: 101779

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 85V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAT54AW-7-F
Diodes Incorporated

BAT54AW-7-F

osa: 147527

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAS7005E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS7005E6327HTSA1

osa: 117509

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 70mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAS28 TR
Central Semiconductor Corp

BAS28 TR

osa: 122513

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAR43SFILM
STMicroelectronics

BAR43SFILM

osa: 108240

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV99T-TP
Micro Commercial Co

BAV99T-TP

osa: 148357

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 85V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 75mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAT54TW-TP
Micro Commercial Co

BAT54TW-TP

osa: 145263

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BYVB32-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200-E3/81

osa: 80269

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVB32-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150-E3/81

osa: 80306

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVF32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100HE3/45

osa: 84390

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVB32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100HE3/45

osa: 84406

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVB32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200HE3/45

osa: 84421

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVB32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150HE3/45

osa: 84464

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVF32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150HE3/45

osa: 84448

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVF32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-200HE3/45

osa: 84465

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVB32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50HE3/45

osa: 84388

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVF32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50HE3/45

osa: 87228

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVF32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100-E3/45

osa: 87144

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVF32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150-E3/45

osa: 87197

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50-E3/45

osa: 87137

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYT28B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300HE3/81

osa: 84901

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYT28B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400HE3/81

osa: 84909

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVB32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50-E3/45

osa: 88816

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYVB32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100-E3/45

osa: 88779

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYT28B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300-E3/81

osa: 87379

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BYT28B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400-E3/81

osa: 87329

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAS40-07,215
Nexperia USA Inc.

BAS40-07,215

osa: 164953

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV23,215
Nexperia USA Inc.

BAV23,215

osa: 115772

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 225mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAS70-05,215
Nexperia USA Inc.

BAS70-05,215

osa: 109258

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 70mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV99S,135
Nexperia USA Inc.

BAV99S,135

osa: 130049

Diodin kokoonpano: 2 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
BAV70S,135
Nexperia USA Inc.

BAV70S,135

osa: 195709

Diodin kokoonpano: 2 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
BAV74LT1G
ON Semiconductor

BAV74LT1G

osa: 180179

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan