Menu
SuomiSuomi
0RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

1PS59SB15,115
NXP USA Inc.

1PS59SB15,115

osa: 4404

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.

1PS59SB14,115

osa: 4331

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
1PS226,115
NXP USA Inc.

1PS226,115

osa: 4446

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1PS184,135
NXP USA Inc.

1PS184,135

osa: 4337

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1PS184,115
NXP USA Inc.

1PS184,115

osa: 4473

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
1PS70SB14/ZLX
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLX

osa: 4330

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
1PS70SB14/ZLF
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLF

osa: 4334

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS184S,LF(D

osa: 4245

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
1SS412(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS412(TE85L,F)

osa: 4112

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
1SS360(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS360(T5L,F,T)

osa: 4169

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
1SS302TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS302TE85LF

osa: 162072

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
1SS301SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301SU,LF

osa: 4015

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
1N6659
Microsemi Corporation

1N6659

osa: 4137

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04-1

osa: 3721

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
16CTU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04

osa: 3649

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
16CTQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ060

osa: 3669

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04S

osa: 3644

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
110CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASL

osa: 3638

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 540mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
110CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASM

osa: 3688

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 540mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
113CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASM

osa: 3674

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
113CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASL

osa: 4418

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
111CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASM

osa: 3691

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
111CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASL

osa: 3663

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
115CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015A

osa: 3629

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 370mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
112CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASL

osa: 3678

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
112CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASM

osa: 3654

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
115CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASM

osa: 3703

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 370mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
113CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100A

osa: 3655

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
110CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045A

osa: 3673

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 540mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
112CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030A

osa: 3657

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
111CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045A

osa: 3692

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 55A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRR

osa: 3680

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRL

osa: 3603

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRR

osa: 3660

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100-1

osa: 3603

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRL

osa: 3691

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan