Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

15GN01MA-TL-E
ON Semiconductor

15GN01MA-TL-E

osa: 176347

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 8V, Taajuus - Siirtyminen: 1.5GHz, Teho - maks: 400mW,

Toivelistaan
15GN01CA-TB-E
ON Semiconductor

15GN01CA-TB-E

osa: 194654

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 8V, Taajuus - Siirtyminen: 1.5GHz, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
2SC5536A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5536A-TL-H

osa: 129846

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 1.7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz, Saada: 16dB, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5646A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5646A-TL-H

osa: 145975

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz ~ 12.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Saada: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5490A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5490A-TL-H

osa: 102087

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Saada: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5227A-4-TB-E
ON Semiconductor

2SC5227A-4-TB-E

osa: 149544

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Saada: 12dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor

2SC5347AE-TD-E

osa: 107074

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 4.7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Saada: 8dB, Teho - maks: 1.3W,

Toivelistaan
10A060
Microsemi Corporation

10A060

osa: 605

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Taajuus - Siirtyminen: 1GHz, Saada: 8dB ~ 8.5dB, Teho - maks: 21W,

Toivelistaan
2N4957UB
Microsemi Corporation

2N4957UB

osa: 2413

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Saada: 25dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
2A8
Microsemi Corporation

2A8

osa: 697

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 21V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Saada: 7dB ~ 9dB, Teho - maks: 5.3W,

Toivelistaan
23A025
Microsemi Corporation

23A025

osa: 549

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 22V, Taajuus - Siirtyminen: 3.7GHz, Saada: 6dB ~ 6.3dB, Teho - maks: 9W,

Toivelistaan
2307
Microsemi Corporation

2307

osa: 648

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 42V, Taajuus - Siirtyminen: 2.3GHz, Saada: 8dB, Teho - maks: 20.5W,

Toivelistaan
2SC4098T106P
Rohm Semiconductor

2SC4098T106P

osa: 113796

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 300MHz, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
2SC4618TLN
Rohm Semiconductor

2SC4618TLN

osa: 145036

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 300MHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
2SC4713KT146S
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146S

osa: 183409

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 800MHz, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
2SC4713KT146R
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146R

osa: 149510

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 800MHz, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

osa: 144

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 13dB, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

osa: 170

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

osa: 171976

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 550MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Saada: 17dB ~ 23dB, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

osa: 111075

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

osa: 128600

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11dB ~ 16.5dB, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

osa: 121034

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

osa: 190

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

osa: 170

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

osa: 187

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Saada: 13dB ~ 7dB, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

osa: 173074

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

osa: 128

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Saada: 13dB ~ 7.5dB, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

osa: 124837

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 550MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Saada: 17dB ~ 23dB, Teho - maks: 100mW,

Toivelistaan
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

osa: 152602

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

osa: 162523

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
2N5179
Central Semiconductor Corp

2N5179

osa: 11976

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
2N918
Central Semiconductor Corp

2N918

osa: 11009

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
2N4427
Central Semiconductor Corp

2N4427

osa: 25708

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 500MHz, Saada: 10dB, Teho - maks: 1W,

Toivelistaan
2N2857
Central Semiconductor Corp

2N2857

osa: 10939

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
2SC3357-T1-A
CEL

2SC3357-T1-A

osa: 7357

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 6.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Saada: 10dB, Teho - maks: 1.2W,

Toivelistaan
2SC5010-T1-A
CEL

2SC5010-T1-A

osa: 7305

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 12GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Saada: 8.5dB, Teho - maks: 125mW,

Toivelistaan