Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
tuotekategoria
Erilliset puolijohdetuotteet
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

BUK653R5-55C,127

BUK653R5-55C,127

osa: 6308

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

osa: 2570

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK653R4-40C,127

BUK653R4-40C,127

osa: 2554

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK6510-75C,127

BUK6510-75C,127

osa: 2551

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK6507-55C,127

BUK6507-55C,127

osa: 2513

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK9222-55A/C1,118

BUK9222-55A/C1,118

osa: 2554

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7210-55B/C1,118

BUK7210-55B/C1,118

osa: 2539

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK9237-55A/C1,118

BUK9237-55A/C1,118

osa: 2513

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

Toivelistaan

BUK9240-100A/C1,11

BUK9240-100A/C1,11

osa: 2553

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7628-100A/C,118

BUK7628-100A/C,118

osa: 2564

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK9535-55,127

osa: 2489

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

Toivelistaan

BUK7524-55,127

osa: 2502

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7213-40A,118

BUK7213-40A,118

osa: 2477

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK9213-30A,118

BUK9213-30A,118

osa: 2509

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7E4R3-75C,127

BUK7E4R3-75C,127

osa: 2562

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK753R4-30B,127

BUK753R4-30B,127

osa: 2515

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7226-75A/C1,118

BUK7226-75A/C1,118

osa: 2478

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK9E4R4-40B,127

BUK9E4R4-40B,127

osa: 2525

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK96150-55A,118

BUK96150-55A,118

osa: 2469

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 13A, 10V,

Toivelistaan

BUK9907-55ATE,127

BUK9907-55ATE,127

osa: 2500

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

Toivelistaan

BUK9516-75B,127

BUK9516-75B,127

osa: 2461

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK9528-55A,127

BUK9528-55A,127

osa: 2498

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 5V,

Toivelistaan

BUK9516-55A,127

BUK9516-55A,127

osa: 2549

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK9509-55A,127

BUK9509-55A,127

osa: 2464

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7L06-34ARC,127

BUK7L06-34ARC,127

osa: 2515

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 34V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Toivelistaan

BUK7L11-34ARC,127

BUK7L11-34ARC,127

osa: 2474

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 34V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 30A, 10V,

Toivelistaan

BUK7E2R7-30B,127

BUK7E2R7-30B,127

osa: 6250

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7E11-55B,127

BUK7E11-55B,127

osa: 2540

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7628-55A,118

BUK7628-55A,118

osa: 2516

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7624-55A,118

BUK7624-55A,118

osa: 2466

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK754R3-40B,127

BUK754R3-40B,127

osa: 2488

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK752R7-30B,127

BUK752R7-30B,127

osa: 2528

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7524-55A,127

BUK7524-55A,127

osa: 2519

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK7523-75A,127

BUK7523-75A,127

osa: 2500

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 25A, 10V,

Toivelistaan

BUK75150-55A,127

BUK75150-55A,127

osa: 2535

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

Toivelistaan

BUK9635-55,118

osa: 2435

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

Toivelistaan

3600

«
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
»