Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

2N7000RLRAG

2N7000RLRAG

osa: 6006

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002T

2N7002T

osa: 172686

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Toivelistaan
2N7000BU

2N7000BU

osa: 155891

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7000-D26Z

2N7000-D26Z

osa: 30133

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2V7002WT1G

2V7002WT1G

osa: 187851

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002KW

2N7002KW

osa: 157123

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7000TA

2N7000TA

osa: 141923

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2V7002KT1G

2V7002KT1G

osa: 170630

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002KT1G

2N7002KT1G

osa: 188988

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2SK122800L

2SK122800L

osa: 5951

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Toivelistaan
2SK353900L

2SK353900L

osa: 9183

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Toivelistaan
2SK060100L

2SK060100L

osa: 9182

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2SK306400L

2SK306400L

osa: 9142

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
2SJ053600L

2SJ053600L

osa: 9187

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
2SK3047

2SK3047

osa: 8914

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Toivelistaan
2SK3044

2SK3044

osa: 8928

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 450V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V,

Toivelistaan
2N7002F,215

2N7002F,215

osa: 9100

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 475mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002E,215

2N7002E,215

osa: 8867

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 385mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002BKMB,315

2N7002BKMB,315

osa: 137202

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 450mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002BKVL

2N7002BKVL

osa: 122069

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002CK,215

2N7002CK,215

osa: 134277

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002BKM,315

2N7002BKM,315

osa: 169202

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002P,235

2N7002P,235

osa: 189451

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002W-7

2N7002W-7

osa: 8910

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Toivelistaan
2N7002-7

2N7002-7

osa: 8915

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Toivelistaan
2N7002TA

2N7002TA

osa: 8894

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002PT,115

2N7002PT,115

osa: 8856

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002BKT,115

2N7002BKT,115

osa: 8863

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 290mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3

osa: 199703

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002-T1-E3

2N7002-T1-E3

osa: 146560

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2N7002 TR13

2N7002 TR13

osa: 105422

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2SK3065T100

2SK3065T100

osa: 152735

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1A, 4V,

Toivelistaan
2SK3018T106

2SK3018T106

osa: 151413

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Toivelistaan
2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2

osa: 132018

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2SK1828TE85LF

2SK1828TE85LF

osa: 117993

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Toivelistaan
2N7002W-TP

2N7002W-TP

osa: 160914

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Toivelistaan