Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1200V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA (Typ) |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 105nC @ 20V |
Vgs (enintään) | +25V, -10V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 400V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 270W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | HiP247™ |
Pakkaus / kotelo | TO-247-3 |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |