Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 650V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 93A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (enintään) | +22V, -4V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2208pF @ 500V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 339W (Tc) |
Käyttölämpötila | 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | TO-247N |
Pakkaus / kotelo | TO-247-3 |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |