Diodit - Tasasuuntaajat - Single

CPW2-1200-S010B-FR1

osa: 9531

CPW2-1200-S010BP

osa: 5043

CPW2-1200-S005B-FR1

osa: 9533

C3D03060E

osa: 50240

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 11A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 3A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

CPW2-1200-S005B

osa: 9536

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 17.5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

C4D10120E

osa: 6526

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 33A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

C3D06060F

osa: 25319

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 7.5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

C4D02120E

osa: 51855

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 2A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

CSD01060E

osa: 71851

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 1A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

C3D06060A

osa: 25267

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 19A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

C4D05120E

osa: 13087

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 19A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

CSD01060E-TR

osa: 114503

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 1A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

C3D10060G

osa: 15193

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 29A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

C4D02120A

osa: 32495

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 2A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

C3D04060E

osa: 37785

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 13.5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 4A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

C3D1P7060Q

osa: 167440

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 9.7A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1.7A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,