Diodit - sillan tasasuuntaajat | Erilliset puolijohdetuotteet | 23

GBU2507 D2

osa: 5234

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P05G-K D2G

osa: 8768

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP153G C2

osa: 2958

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS105G RDG

osa: 6473

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

RABS15M REG

osa: 4339

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU605 D2G

osa: 6408

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS4K60 D3G

osa: 3336

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP204G C2

osa: 8772

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS102G RDG

osa: 6454

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 100V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP304G C2G

osa: 8792

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP203G C2

osa: 8856

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP305G C2

osa: 8788

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1006 D2G

osa: 4585

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P07G-K D2G

osa: 8798

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU607 D2G

osa: 10162

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP206G C2G

osa: 2972

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP207G C2

osa: 8774

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP307G C2

osa: 8851

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP307G C2G

osa: 8776

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP107G C2G

osa: 8860

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP156G C2

osa: 8828

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP101G C2

osa: 8781

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU405 D2G

osa: 8719

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP207G C2G

osa: 8853

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10KL80 D3G

osa: 5234

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP154G C2G

osa: 8772

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB60 D2G

osa: 4811

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF307G B0G

osa: 8775

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P05G-K D2G

osa: 8851

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP306G C2G

osa: 8828

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF205G B0G

osa: 8809

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

YBS2206G RAG

osa: 9944

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 970mV @ 2.2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP102G C2

osa: 8763

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP301G C2G

osa: 8785

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P07G-K C2G

osa: 8764

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP153G C2G

osa: 8775

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista