osa: 222
FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.6A (Tc), 9A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,