Diodit - sillan tasasuuntaajat | Erilliset puolijohdetuotteet | 23

ABS15JHRGG

osa: 64

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15MHRGG

osa: 72

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10HRGG

osa: 142

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2HRGG

osa: 77

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6 RGG

osa: 117

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8 RGG

osa: 54

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8HRGG

osa: 96

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6HRGG

osa: 89

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4 RGG

osa: 131

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS20M RGG

osa: 102

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15LJ RGG

osa: 109

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2 RGG

osa: 87

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4HRGG

osa: 95

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10 RGG

osa: 104

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15J RGG

osa: 82

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15M RGG

osa: 148

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8HREG

osa: 116

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10HREG

osa: 110

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6HREG

osa: 131

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS20M REG

osa: 70

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15LJ REG

osa: 129

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2 REG

osa: 166

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15JHREG

osa: 122

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15MHREG

osa: 171

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4 REG

osa: 141

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS2HREG

osa: 118

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS4HREG

osa: 144

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15M REG

osa: 4332

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS15J REG

osa: 4334

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS6 REG

osa: 9936

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8 REG

osa: 24395

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10 REG

osa: 21563

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P03GHD2G

osa: 46

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS40P06GHD2G

osa: 94

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS40P07GHD2G

osa: 63

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P06GHC2G

osa: 119

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista