Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
SF68GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHR0G

osa: 116

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
TSS43U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS43U RGG

osa: 172

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista
TSS54U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS54U RGG

osa: 145

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista
S15JC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15JC M6G

osa: 165

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
TSN520M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S4G

osa: 204

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
TSP15H200S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15H200S S1G

osa: 159

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 890mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
ES1LGHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LGHM2G

osa: 181

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
TSN525M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN525M60 S4G

osa: 146

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
TSS0230U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230U RGG

osa: 162

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
S15KC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15KC M6G

osa: 221

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S15GC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15GC M6G

osa: 158

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
TSS40U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS40U RGG

osa: 193

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista
S15MC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15MC M6G

osa: 137

Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
TSSW3U45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45 RVG

osa: 218

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 470mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U60 M2G

osa: 146

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 540mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista
ES3JB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JB M4G

osa: 154

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.45V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
TSSE3U60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSE3U60 RVG

osa: 168

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
TSSW3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45HRVG

osa: 140

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 470mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MUR315S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V7G

osa: 116

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista
TSS83L45 MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS83L45 MXG

osa: 201

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
ES1LG M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG M2G

osa: 170

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
TSN520M60 S3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S3G

osa: 161

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ M2G

osa: 174

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
TSS0340U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0340U RGG

osa: 173

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 370mV @ 1mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
TSS0230LU RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230LU RGG

osa: 167

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
UGF5JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF5JHC0G

osa: 127

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista
UGF8JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JDHC0G

osa: 196

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
TSP15U120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15U120S S1G

osa: 122

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
ES1LG R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG R3G

osa: 185

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
TSSA3U45 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U45 M2G

osa: 164

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 480mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
ES1LJ R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ R3G

osa: 195

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
ES1LJHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJHM2G

osa: 136

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
UGF12J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12J C0G

osa: 166

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 20ns,

Toivomuslista
RSFALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHMTG

osa: 184

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
SS210L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MQG

osa: 209

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS22LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHMHG

osa: 154

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista