Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

1N5393G B0G

osa: 180

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G A0G

osa: 162

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHA0G

osa: 120

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHA0G

osa: 198

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819HA0G

osa: 149

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G A0G

osa: 183

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHB0G

osa: 149

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHB0G

osa: 183

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 A0G

osa: 202

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393G A0G

osa: 140

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822 A0G

osa: 156

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 525mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHA0G

osa: 163

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936GHA0G

osa: 156

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G B0G

osa: 110

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHB0G

osa: 127

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820 A0G

osa: 103

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 475mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G B0G

osa: 107

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHB0G

osa: 184

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936G A0G

osa: 169

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1SS400 RSG

osa: 193

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHA0G

osa: 142

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G B0G

osa: 163

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407GHR0G

osa: 179

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408GHR0G

osa: 183

Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHR0G

osa: 186

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHR0G

osa: 200

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406GHR0G

osa: 130

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G R0G

osa: 162

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHR0G

osa: 128

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G R0G

osa: 120

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397GHR0G

osa: 186

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399G R0G

osa: 122

Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400GHR0G

osa: 184

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393G R0G

osa: 140

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398GHR0G

osa: 192

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHR0G

osa: 134

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista