Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

BAS40 RFG

osa: 245

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

B0520LW RHG

osa: 187

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 14V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 385mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54C RFG

osa: 240

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19W RHG

osa: 194

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 250V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20WS RRG

osa: 207

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43W RHG

osa: 216

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20WS-G RRG

osa: 252

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21WS-G RRG

osa: 191

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19WS-G RRG

osa: 191

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS116 RFG

osa: 211

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 3ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20W-G RHG

osa: 233

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54 RFG

osa: 182

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS19W RVG

osa: 206

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43WS RRG

osa: 222

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS20W RVG

osa: 257

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21WS R9G

osa: 198

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 250V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

B0520LWF RHG

osa: 234

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 385mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

B0540WF RHG

osa: 254

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 510mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43X RSG

osa: 217

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19WS RRG

osa: 191

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS16 RFG

osa: 180

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20D R3G

osa: 7763

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21MHR3G

osa: 7827

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS85-L0 L1

osa: 1429

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT42-L0 R0G

osa: 1461

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21WS RRG

osa: 9913

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 250V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G A0G

osa: 9917

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21W RHG

osa: 9901

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 250V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

B0530W RHG

osa: 9995

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 430mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS70 RFG

osa: 9971

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21M R3G

osa: 11937

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21W-G RHG

osa: 16265

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT42W RHG

osa: 16287

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20G R3G

osa: 19460

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS85-L0 L1G

osa: 9487

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS85-L0 L0G

osa: 9563

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista