Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 15

2STF2360

osa: 113242

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

2STD1665T4

osa: 189426

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 380mV @ 300mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

2STR2230

osa: 108245

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

2STR2215

osa: 174250

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

2STN2540

osa: 192703

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

2STN1550

osa: 187289

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

2STF2550

osa: 118627

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

3STL2540

osa: 136728

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 210 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

3STR1630

osa: 147320

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

3STF1640

osa: 176579

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 170mV @ 300mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 350 @ 1A, 1V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BDX34C

osa: 91615

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BU931P

osa: 23962

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BUT30V

osa: 2858

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 125V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 900mV @ 10A, 100A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 27 @ 100A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BD237

osa: 83226

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BDW93CFP

osa: 47874

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BD239C

osa: 186503

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BCP53-16

osa: 172006

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BUL98

osa: 45196

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 12A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BUL743

osa: 40937

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 500V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.5A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 24 @ 2A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BDX53B

osa: 161752

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BD135-16

osa: 120414

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BUTW92

osa: 9504

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 15A, 60A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 9 @ 60A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BUL49D

osa: 143616

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 800mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4 @ 7A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BD136-16

osa: 195392

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BUL654

osa: 115888

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1.4A, 7A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 7 @ 6A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BUL1203EFP

osa: 76398

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 550V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 9 @ 2A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BDX53C

osa: 161808

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BD139-10

osa: 155893

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BDX54C

osa: 203

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BD677

osa: 89386

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BULB49DT4

osa: 181203

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 800mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4 @ 7A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BDX33C

osa: 71859

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BD533

osa: 47038

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BD678A

osa: 86151

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BUF420AW

osa: 7129

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4A, 20A,

Toivomuslista

STMicroelectronics

BD681

osa: 1831

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Toivomuslista