Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

Koti
Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

STMicroelectronics

STT13005

osa: 138198

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STD1805T4

osa: 6132

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

TIP50

osa: 120088

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STBV42G-AP

osa: 6367

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STSA851-AP

osa: 6417

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STE07DE220

osa: 3307

Transistorin tyyppi: NPN - Emitter Switched Bipolar, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2200V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STF724

osa: 5928

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

MJ802

osa: 5858

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 90V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ESM2012DV

osa: 5885

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 100A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1200 @ 100A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STBV68

osa: 5871

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 100mA, 250mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 250mA, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STX112

osa: 5894

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ESM3045DV

osa: 5856

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1.2A, 20A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 20A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

SGSD200

osa: 5922

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

TIP32C

osa: 130766

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ST2408HI

osa: 5917

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 8A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STBV42

osa: 5932

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ESM3030DV

osa: 2502

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 85A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 85A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ST1802FX

osa: 5871

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STBV45

osa: 5895

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 750mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 135mA, 400mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 400mA, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ESM4045DV

osa: 5882

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2A, 35A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 35A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

TIP135

osa: 5926

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STX13003

osa: 5886

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ESM5045DV

osa: 5857

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2.8A, 50A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 50A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ESM2030DV

osa: 5903

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 67A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.6A, 56A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 56A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

MJ4035

osa: 5925

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 16A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 3mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 10A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

MJD32C

osa: 5913

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

MJD31C

osa: 5925

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ST2310DHI

osa: 5872

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.75A, 7A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 7A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ST8812FP

osa: 5928

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

SGSD100

osa: 5901

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STPSA42-AP

osa: 5858

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

TIP122FP

osa: 6597

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ST1802FH

osa: 5944

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ST2001FX

osa: 6658

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STX715

osa: 5901

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

ESM6045AV

osa: 5865

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 72A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 2.4A, 60A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 60A, 5V,

Toivomuslista

530

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»