Muisti

M24C01-WBN6P

osa: 2829

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M27W401-80F6

osa: 5669

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 4Kb (512 x 8),

M27C160-100F1

osa: 4164

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - UV, Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16),

M24C08-WMN6T

osa: 3155

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M27C1001-15C6TR

osa: 4029

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 1Mb (128K x 8),

M27C2001-70C1

osa: 4394

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 2Mb (256K x 8),

M24C32-WBN6P

osa: 3396

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 32Kb (4K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M27C2001-55XF1

osa: 4350

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - UV, Muistin koko: 2Mb (256K x 8),

M27C1001-10C6

osa: 3952

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 1Mb (128K x 8),

M27C4001-80N6

osa: 9484

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 4Mb (512K x 8),

M24C01-WBN6

osa: 2760

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M27C160-90B1

osa: 4281

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16),

M27C1001-90C1

osa: 4165

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 1Mb (128K x 8),

M27V322-100F1

osa: 5335

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - UV, Muistin koko: 32Mb (2M x 16),

M27V160-100XF1

osa: 9579

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - UV, Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16),

M24C04-WMN6

osa: 2970

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M24128-BWMN6P

osa: 2544

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M24C16-WBN6

osa: 3244

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M93C76-MN6P

osa: 2123

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M27C4002-80C6TR

osa: 4970

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 4Mb (256K x 16),

M24C02-RDS6TG

osa: 2905

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M27C256B-10C6

osa: 4473

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 256Kb (32K x 8),

M27C256B-45XF1

osa: 4657

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - UV, Muistin koko: 256Kb (32K x 8),

M27C4002-80XF1

osa: 4997

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - UV, Muistin koko: 4Mb (256K x 16),

M24C16-RBN6P

osa: 3285

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M27C4002-10C1

osa: 1542

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 4Mb (256K x 16),

M48Z58Y-70MH1F

osa: 14055

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

M34M02-DXCT2TP/K

osa: 30076

M24M02-DWMN3TP/K

osa: 34008

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 4ms,

M95M02-DWMN3TP/K

osa: 34054

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M24256-BRDW6P

osa: 31018

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M95M02-DRCS6TP/K

osa: 30674

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 5MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

M95M01-DFMN6TP

osa: 62394

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 16MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

M24M02-DRCS6TP/K

osa: 34468

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

M24M01-DWDW3TP/K

osa: 23269

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 4ms,

M95320-WMN6TP/P

osa: 49720

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 32Kb (4K x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,