Transistorit - FETit, MOSFETit - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 62

STP33N60M2

osa: 24776

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 13A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STW40N90K5

osa: 5507

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STS10P3LLH6

osa: 105689

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STL30N10F7

osa: 112778

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STL110N10F7

osa: 34551

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 107A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STW56N65M2

osa: 8405

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 24.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STL92N10F7AG

osa: 69976

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.5 Ohm @ 8A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP12N120K5

osa: 6985

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STE88N65M5

osa: 1858

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 42A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STL11N6F7

osa: 164029

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 5.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP5NK65ZFP

osa: 39656

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.1A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP150N3LLH6

osa: 20764

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STF34NM60ND

osa: 12727

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 14.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STW54NM65ND

osa: 3637

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 24.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STW20NM50FD

osa: 16377

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STB34NM60ND

osa: 13897

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 14.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STB100NF03L-03-1

osa: 17524

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STF7N90K5

osa: 23470

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP13NK60Z

osa: 23131

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STF10NK50Z

osa: 24098

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP13N95K3

osa: 10204

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 950V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP11NM60FD

osa: 30199

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP140N4F6

osa: 86656

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP9NK80Z

osa: 23853

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP7N52K3

osa: 48550

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 525V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 3.1A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STWA57N65M5

osa: 4003

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 21A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STF25NM60ND

osa: 23875

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STI6N90K5

osa: 26693

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STF13N60DM2

osa: 36883

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 365 mOhm @ 5.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STF13N95K3

osa: 11366

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 950V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STU75N3LLH6

osa: 57688

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 37.5A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STE40NC60

osa: 2133

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP160N4LF6

osa: 37575

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 60A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STW7N90K5

osa: 18958

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STU10N60M2

osa: 39218

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

Toivomuslista

STMicroelectronics

STP105N3LL

osa: 38823

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 40A, 10V,

Toivomuslista