Diodit - Tasasuuntaajat - Single

RF101L2STE25

osa: 185042

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 870mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

RB050M-30TR

osa: 141421

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 510mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RFN1LAM7STR

osa: 158388

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 800mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 80ns,

RB060M-60TR

osa: 141439

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB160MM-40TR

osa: 174769

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 510mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RBR3MM60ATR

osa: 118996

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 660mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB168LAM-40TR

osa: 153483

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 690mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB168MM-60TR

osa: 147586

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB088LAM-30TFTR

osa: 8598

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB060M-40DDTR

osa: 154878

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RBR3MM40BTR

osa: 199471

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RF101L4STE25

osa: 128583

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

RB055L-40TE25

osa: 157967

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB068M-40TR

osa: 141733

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 725mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RBR3LAM40BTR

osa: 155199

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 620mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB055L-60TE25

osa: 176468

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB058LAM150TFTR

osa: 8660

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB162VAM-20TR

osa: 8474

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 400mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB751CS-40T2R

osa: 169972

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 370mV @ 1mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

RR263M-400TR

osa: 103874

RB068LAM150TFTR

osa: 8544

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RSX101M-30TFTR

osa: 199111

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 390mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RF051VA1STR

osa: 159856

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

RB068M-60TR

osa: 140082

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 765mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RBS1LAM40ATR

osa: 140743

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 380mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RSX201LAM30TFTR

osa: 8626

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB058L-30TE25

osa: 121434

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB162VA-20TR

osa: 183157

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 400mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB160M-60TR

osa: 112607

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB068LAM-60TFTR

osa: 157686

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB068LAM-40TFTR

osa: 8538

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RBR3LAM40BTFTR

osa: 8520

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB160LAM-40TFTR

osa: 8576

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RBR2MM30BTR

osa: 103301

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB088LAM-60TFTR

osa: 8686

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RF081L2STE25

osa: 141877

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 1.1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,