Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 18

RB063L-30TE25

osa: 164735

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 395mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB058L-60TE25

osa: 185183

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 640mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB050L-60DDTE25

osa: 105388

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RBR5L30BTE25

osa: 183305

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RF301BM2SFHTL

osa: 8699

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB078BM30STL

osa: 115276

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB075BM40STL

osa: 171749

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB058L-40TE25

osa: 168587

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RFN20TF6S

osa: 79229

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.55V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 60ns,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RFUS20NS6STL

osa: 57558

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.8V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB053L-30TE25

osa: 190747

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 420mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB050LAM-30TFTR

osa: 8719

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RFN2L6STE25

osa: 162758

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.55V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB521CS-30T2RA

osa: 187462

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 350mV @ 10mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RFN5BM2STL

osa: 151422

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB521S-30TE61

osa: 153145

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RFN10BM3SFHTL

osa: 4953

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 350V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RFNL5BM6STL

osa: 187449

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 60ns,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RFN5BM6STL

osa: 189604

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.55V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RBR5L40ATE25

osa: 183306

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 530mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB521CS-30T2R

osa: 166980

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 350mV @ 10mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB068LAM100TFTR

osa: 164207

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB160MM-30TR

osa: 189747

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 480mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB060LAM-40TFTR

osa: 8662

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB058LAM100TFTR

osa: 8598

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RB068MM-40TR

osa: 100783

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 725mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RBR3LAM30ATR

osa: 146847

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RBR3L60ATE25

osa: 164503

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 660mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RBR2L30ATE25

osa: 108246

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RBR1L60ATE25

osa: 100531

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 530mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RBR2LAM30ATFTR

osa: 8481

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RR2L6STE25

osa: 170651

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RBR5LAM30ATFTR

osa: 8592

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RSX101M-30TR

osa: 179456

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 390mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RBR1L40ATE25

osa: 144906

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Rohm Semiconductor

RF081M2STR

osa: 169647

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 800mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista