Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single
2SC3902T
ON Semiconductor

2SC3902T

osa: 6684

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
2SC3902S
ON Semiconductor

2SC3902S

osa: 6693

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
2SC3332S-AA
ON Semiconductor

2SC3332S-AA

osa: 6699

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
2SC2812N6-TB-E
ON Semiconductor

2SC2812N6-TB-E

osa: 6628

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista
2SA2222
ON Semiconductor

2SA2222

osa: 6657

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 270mA, 2V,

Toivomuslista
2SA2210
ON Semiconductor

2SA2210

osa: 6704

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 350mA, 7A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
2SA1827S-AY
ON Semiconductor

2SA1827S-AY

osa: 6648

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista
2SA1768S-AN
ON Semiconductor

2SA1768S-AN

osa: 6607

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700µA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
2SA1706S-AN
ON Semiconductor

2SA1706S-AN

osa: 6684

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
2SA1709S-AN
ON Semiconductor

2SA1709S-AN

osa: 6638

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
2SA1179N6-TB-E
ON Semiconductor

2SA1179N6-TB-E

osa: 6695

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista
2SC5888
ON Semiconductor

2SC5888

osa: 6616

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
2SC4731T-AY
ON Semiconductor

2SC4731T-AY

osa: 6622

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista
2SC4837S-AY
ON Semiconductor

2SC4837S-AY

osa: 6650

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista
2SC4487T-AN
ON Semiconductor

2SC4487T-AN

osa: 6618

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
2SC4731S-AY
ON Semiconductor

2SC4731S-AY

osa: 6649

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista
2SB1143T
ON Semiconductor

2SB1143T

osa: 5739

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
2SA2112-AN
ON Semiconductor

2SA2112-AN

osa: 6656

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 10V,

Toivomuslista
2SB1143S
ON Semiconductor

2SB1143S

osa: 6652

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
2SA2099
ON Semiconductor

2SA2099

osa: 6730

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
2SA1707S-AN
ON Semiconductor

2SA1707S-AN

osa: 6694

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
2N3906RLRMG
ON Semiconductor

2N3906RLRMG

osa: 6617

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
2SC4135T-E
ON Semiconductor

2SC4135T-E

osa: 114892

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
2N3904ZL1G
ON Semiconductor

2N3904ZL1G

osa: 6636

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
2N4953_D26Z
ON Semiconductor

2N4953_D26Z

osa: 6647

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
2SC6082
ON Semiconductor

2SC6082

osa: 6635

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V,

Toivomuslista
2N6040G
ON Semiconductor

2N6040G

osa: 90449

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Toivomuslista
2SC4617T1G
ON Semiconductor

2SC4617T1G

osa: 6602

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista
2N4923G
ON Semiconductor

2N4923G

osa: 109333

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V,

Toivomuslista
2SA733P_D26Z
ON Semiconductor

2SA733P_D26Z

osa: 6549

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista
2SA733P
ON Semiconductor

2SA733P

osa: 6552

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista
2SC4027T-H
ON Semiconductor

2SC4027T-H

osa: 191391

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
2N3906RL1G
ON Semiconductor

2N3906RL1G

osa: 6703

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
2SD1801S-E
ON Semiconductor

2SD1801S-E

osa: 10407

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
2N3904RL1G
ON Semiconductor

2N3904RL1G

osa: 6563

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista
2SA1593T-E
ON Semiconductor

2SA1593T-E

osa: 144910

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista