Diodit - Tasasuuntaajat - Single

RURG80100

osa: 11752

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

MUR210G

osa: 178668

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 940mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

NRVB440MFSWFT1G

osa: 136370

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SB320

osa: 1667

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SMBAT54LT1G

osa: 1555

DSK10B

osa: 5202

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ISL9R1560G2

osa: 27467

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 40ns,

NTS1245MFST1G

osa: 179489

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DLA11C-TR-E

osa: 1603

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 1.1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

DSK10E-AT1

osa: 1648

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SB10-04A3-BT

osa: 5249

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RD0106T-TL-H

osa: 191794

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

RD1006LS-SB5

osa: 5170

Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

SBM30-03-TR-E

osa: 1692

SS0503EC-TR-H

osa: 1482

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 10ns,

NTS12120EMFST1G

osa: 131820

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 830mV @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR1660

osa: 101781

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DLM10E-AT1

osa: 1670

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

NRVB540MFST1G

osa: 157820

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SB10-05A3-AT1

osa: 5582

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

NRVB8H100MFST1G

osa: 172232

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DLN10C-AT1

osa: 1666

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

DSF10TB

osa: 1680

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBR340RLG

osa: 120311

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRD350RLG

osa: 187518

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RD0506T-TL-H

osa: 84856

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

DS135AE

osa: 1631

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

RD0506LS-SB5

osa: 1538

Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

SB10-03A3

osa: 1609

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

NRVTS10100EMFST1G

osa: 167942

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

NTS10100EMFST1G

osa: 184745

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DS135AD

osa: 1593

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DSK10E-BT

osa: 1601

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBR5100MFST1G

osa: 148659

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DSA26G

osa: 1618

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 2.6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBR860MFST1G

osa: 154590

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),