Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
FFSH1665A
ON Semiconductor

FFSH1665A

osa: 2653

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 23A (DC), Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
FFSH30120A
ON Semiconductor

FFSH30120A

osa: 2398

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 46A (DC), Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
NGTD9R120F2WP
ON Semiconductor

NGTD9R120F2WP

osa: 160395

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.6V @ 15A,

Toivomuslista
NHPV08S600G
ON Semiconductor

NHPV08S600G

osa: 117921

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
FFSH2065BDN-F085
ON Semiconductor

FFSH2065BDN-F085

osa: 2965

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
MBRS3201PT3G
ON Semiconductor

MBRS3201PT3G

osa: 2341

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
RHRG5060
ON Semiconductor

RHRG5060

osa: 15262

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
FFSH40120ADN-F085
ON Semiconductor

FFSH40120ADN-F085

osa: 2903

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A (DC), Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
FFSH3065ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH3065ADN-F155

osa: 2901

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 23A (DC), Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
FFH50US60S
ON Semiconductor

FFH50US60S

osa: 15694

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.54V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 124ns,

Toivomuslista
NHPV15S600G
ON Semiconductor

NHPV15S600G

osa: 83704

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.2V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
FFSH4065A
ON Semiconductor

FFSH4065A

osa: 2923

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 48A (DC), Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
MBRB1045G
ON Semiconductor

MBRB1045G

osa: 66049

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
ISL9R1560G2-F085
ON Semiconductor

ISL9R1560G2-F085

osa: 2937

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 40ns,

Toivomuslista
NGTD8R65F2WP
ON Semiconductor

NGTD8R65F2WP

osa: 172240

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.8V @ 30A,

Toivomuslista
ISL9R18120G2
ON Semiconductor

ISL9R18120G2

osa: 20459

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.3V @ 18A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 70ns,

Toivomuslista
MBRB2515LG
ON Semiconductor

MBRB2515LG

osa: 39030

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MR854G
ON Semiconductor

MR854G

osa: 183154

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 300ns,

Toivomuslista
MBR2515LG
ON Semiconductor

MBR2515LG

osa: 31575

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor

NGTD17R120F2WP

osa: 69954

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 35A,

Toivomuslista
FFSH3065B-F085
ON Semiconductor

FFSH3065B-F085

osa: 2933

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 37A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 30A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
MBR1645G
ON Semiconductor

MBR1645G

osa: 67876

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FFH50US60S-F085
ON Semiconductor

FFH50US60S-F085

osa: 2719

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.69V @ 50A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 163ns,

Toivomuslista
RHRG3060
ON Semiconductor

RHRG3060

osa: 25614

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 45ns,

Toivomuslista
MUR110G
ON Semiconductor

MUR110G

osa: 166509

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 875mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
MBR1050
ON Semiconductor

MBR1050

osa: 145448

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR360G
ON Semiconductor

MBR360G

osa: 146488

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 740mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MSRF1560G
ON Semiconductor

MSRF1560G

osa: 88275

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 45ns,

Toivomuslista
FFPF10UP20STU
ON Semiconductor

FFPF10UP20STU

osa: 77903

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
RD2006FR-H
ON Semiconductor

RD2006FR-H

osa: 75387

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.75V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
MUR4100EG
ON Semiconductor

MUR4100EG

osa: 107778

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.85V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
FFSH2065A
ON Semiconductor

FFSH2065A

osa: 2860

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A (DC), Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
MUR1515G
ON Semiconductor

MUR1515G

osa: 64298

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
FFSH40120A
ON Semiconductor

FFSH40120A

osa: 2977

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 61A (DC), Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
MBRS3100PT3G
ON Semiconductor

MBRS3100PT3G

osa: 2327

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 790mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
ISL9R460PF2
ON Semiconductor

ISL9R460PF2

osa: 70462

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 22ns,

Toivomuslista