Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
BZX84C6V8LT3
ON Semiconductor

BZX84C6V8LT3

osa: 5279

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C6V2LT3
ON Semiconductor

BZX84C6V2LT3

osa: 5230

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C6V2ET3
ON Semiconductor

BZX84C6V2ET3

osa: 5251

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C68LT1
ON Semiconductor

BZX84C68LT1

osa: 5317

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 68V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 240 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 47.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C5V6LT3
ON Semiconductor

BZX84C5V6LT3

osa: 5317

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C62LT1
ON Semiconductor

BZX84C62LT1

osa: 5324

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 62V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 215 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 43.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C5V6ET3
ON Semiconductor

BZX84C5V6ET3

osa: 5246

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C5V1LT3
ON Semiconductor

BZX84C5V1LT3

osa: 5264

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C5V1ET3G
ON Semiconductor

BZX84C5V1ET3G

osa: 5315

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C56LT1
ON Semiconductor

BZX84C56LT1

osa: 5236

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 200 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 39.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C5V1ET1G
ON Semiconductor

BZX84C5V1ET1G

osa: 5246

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C4V7LT3
ON Semiconductor

BZX84C4V7LT3

osa: 5283

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C4V7ET3
ON Semiconductor

BZX84C4V7ET3

osa: 5242

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C47ET1
ON Semiconductor

BZX84C47ET1

osa: 5262

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 32.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C3V3LT3G
ON Semiconductor

BZX84C3V3LT3G

osa: 5252

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C3V3ET3G
ON Semiconductor

BZX84C3V3ET3G

osa: 5275

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C3V3ET3
ON Semiconductor

BZX84C3V3ET3

osa: 5220

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C39LT3G
ON Semiconductor

BZX84C39LT3G

osa: 5314

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 130 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 27.3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C33LT3
ON Semiconductor

BZX84C33LT3

osa: 5239

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 23.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C36ET3
ON Semiconductor

BZX84C36ET3

osa: 5295

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 25.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C33LT1
ON Semiconductor

BZX84C33LT1

osa: 5237

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 23.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C2V4LT3G
ON Semiconductor

BZX84C2V4LT3G

osa: 5314

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±8%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C27LT3G
ON Semiconductor

BZX84C27LT3G

osa: 5236

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C24LT3G
ON Semiconductor

BZX84C24LT3G

osa: 5314

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 16.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C27LT3
ON Semiconductor

BZX84C27LT3

osa: 3548

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C24LT3
ON Semiconductor

BZX84C24LT3

osa: 5248

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 16.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C24ET3
ON Semiconductor

BZX84C24ET3

osa: 5293

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 16.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C22LT1
ON Semiconductor

BZX84C22LT1

osa: 3540

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 15.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C20LT3
ON Semiconductor

BZX84C20LT3

osa: 5239

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C18ET3
ON Semiconductor

BZX84C18ET3

osa: 3537

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C18LT3
ON Semiconductor

BZX84C18LT3

osa: 5245

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C15LT3
ON Semiconductor

BZX84C15LT3

osa: 5253

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C13LT3
ON Semiconductor

BZX84C13LT3

osa: 5281

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C12LT3G
ON Semiconductor

BZX84C12LT3G

osa: 5302

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C10LT3G
ON Semiconductor

BZX84C10LT3G

osa: 5242

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
BZX84C12ET3
ON Semiconductor

BZX84C12ET3

osa: 5222

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista