Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - RF

  • Koti
  •  
  • Diodit - RF
1SV251-TB-E
ON Semiconductor

1SV251-TB-E

osa: 102341

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivomuslista
1SV267-TB-E
ON Semiconductor

1SV267-TB-E

osa: 161501

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivomuslista
1SV315-TL-E
ON Semiconductor

1SV315-TL-E

osa: 143020

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 9 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 100mW,

Toivomuslista
1SV249-TL-E
ON Semiconductor

1SV249-TL-E

osa: 144504

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 100mW,

Toivomuslista
1SV263-TL-E
ON Semiconductor

1SV263-TL-E

osa: 154000

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 100mW,

Toivomuslista
1SV264-TL-E
ON Semiconductor

1SV264-TL-E

osa: 103396

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 100mW,

Toivomuslista
1SS351-TB-E
ON Semiconductor

1SS351-TB-E

osa: 101941

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 5V, Virta - Max: 30mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.9pF @ 0.2V, 1MHz,

Toivomuslista
1SV246-TL-EX
ON Semiconductor

1SV246-TL-EX

osa: 6972

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 100mW,

Toivomuslista
1SV234-TB-E
ON Semiconductor

1SV234-TB-E

osa: 106394

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivomuslista
1SV246-TL-E
ON Semiconductor

1SV246-TL-E

osa: 150292

Diodityyppi: PIN - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 100mW,

Toivomuslista
1SV233-TB-E
ON Semiconductor

1SV233-TB-E

osa: 148609

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 150mW,

Toivomuslista
MBD101G
ON Semiconductor

MBD101G

osa: 6849

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 280mW,

Toivomuslista
MMBD301LT3
ON Semiconductor

MMBD301LT3

osa: 6870

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MPN3700
ON Semiconductor

MPN3700

osa: 7009

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 280mW,

Toivomuslista
MMBD770T1
ON Semiconductor

MMBD770T1

osa: 6904

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 70V, Virta - Max: 200mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 120mW,

Toivomuslista
MMVL3700T1G
ON Semiconductor

MMVL3700T1G

osa: 6982

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Virta - Max: 20mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MMVL3700T1
ON Semiconductor

MMVL3700T1

osa: 6938

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Virta - Max: 20mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MMBD452LT1G
ON Semiconductor

MMBD452LT1G

osa: 107325

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 225mW,

Toivomuslista
NSVMMBD354LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBD354LT1G

osa: 140707

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Common Cathode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 300mW,

Toivomuslista
MBD110DWT1G
ON Semiconductor

MBD110DWT1G

osa: 6913

Diodityyppi: Schottky - 2 Independent, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 120mW,

Toivomuslista
MBD770DWT1G
ON Semiconductor

MBD770DWT1G

osa: 177113

Diodityyppi: Schottky - 2 Independent, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 70V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 380mW,

Toivomuslista
MMBD330T1G
ON Semiconductor

MMBD330T1G

osa: 116549

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 200mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 120mW,

Toivomuslista
MMVL3401T1
ON Semiconductor

MMVL3401T1

osa: 6899

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 35V, Virta - Max: 20mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 700 mOhm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MMBD355LT1
ON Semiconductor

MMBD355LT1

osa: 6874

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Common Anode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 225mW,

Toivomuslista
MMBV3401LT1
ON Semiconductor

MMBV3401LT1

osa: 6916

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 35V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 700 mOhm @ 10mA, 100MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MMDL101T1G
ON Semiconductor

MMDL101T1G

osa: 198540

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MMBD352WT1G
ON Semiconductor

MMBD352WT1G

osa: 120914

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MMBD101LT1G
ON Semiconductor

MMBD101LT1G

osa: 100916

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 225mW,

Toivomuslista
MMBD353LT1G
ON Semiconductor

MMBD353LT1G

osa: 146136

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 225mW,

Toivomuslista
MMDL101T1
ON Semiconductor

MMDL101T1

osa: 6895

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MBD330DWT1G
ON Semiconductor

MBD330DWT1G

osa: 116957

Diodityyppi: Schottky - 2 Independent, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 120mW,

Toivomuslista
SMMBD701LT1G
ON Semiconductor

SMMBD701LT1G

osa: 102478

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 70V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MMBD301M3T5G
ON Semiconductor

MMBD301M3T5G

osa: 110296

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 200mW,

Toivomuslista
MMBD354LT1G
ON Semiconductor

MMBD354LT1G

osa: 101145

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Common Cathode, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 225mW,

Toivomuslista
MMBD770T1G
ON Semiconductor

MMBD770T1G

osa: 165358

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 70V, Virta - Max: 200mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 120mW,

Toivomuslista
MMBD352LT1G
ON Semiconductor

MMBD352LT1G

osa: 189512

Diodityyppi: Schottky - 1 Pair Series Connection, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 7V, Kapasitanssi @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Tehohäviö (maks.): 225mW,

Toivomuslista