Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittä

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittä
FJX4008RTF
ON Semiconductor

FJX4008RTF

osa: 2118

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
NSVMUN2233T1G
ON Semiconductor

NSVMUN2233T1G

osa: 128399

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
FJY3002R
ON Semiconductor

FJY3002R

osa: 173959

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
MUN5216T1
ON Semiconductor

MUN5216T1

osa: 1871

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
MUN5231T1
ON Semiconductor

MUN5231T1

osa: 1922

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
NSVDTC123JET1G
ON Semiconductor

NSVDTC123JET1G

osa: 119366

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
NSBA114YF3T5G
ON Semiconductor

NSBA114YF3T5G

osa: 119130

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
FJN3302RTA
ON Semiconductor

FJN3302RTA

osa: 118552

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
FJV3102RMTF
ON Semiconductor

FJV3102RMTF

osa: 155941

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
MUN5235T1
ON Semiconductor

MUN5235T1

osa: 1934

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
DTC114TM3T5G
ON Semiconductor

DTC114TM3T5G

osa: 126995

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
NSBC114YF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114YF3T5G

osa: 144543

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
SMUN5115T1G
ON Semiconductor

SMUN5115T1G

osa: 172520

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
FJN4306RTA
ON Semiconductor

FJN4306RTA

osa: 2013

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
NSVDTC123EM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTC123EM3T5G

osa: 126152

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
NSBA143ZF3T5G
ON Semiconductor

NSBA143ZF3T5G

osa: 157289

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
FJX4001RTF
ON Semiconductor

FJX4001RTF

osa: 1966

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
NSB9435T1G
ON Semiconductor

NSB9435T1G

osa: 172172

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

Toivomuslista
FJV3101RMTF
ON Semiconductor

FJV3101RMTF

osa: 163797

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
NSBC143ZF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZF3T5G

osa: 124170

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
MUN2233T1
ON Semiconductor

MUN2233T1

osa: 1867

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
FJNS4208RBU
ON Semiconductor

FJNS4208RBU

osa: 2020

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
SMUN2230T1G
ON Semiconductor

SMUN2230T1G

osa: 178747

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 1 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
FJV3115RMTF
ON Semiconductor

FJV3115RMTF

osa: 170458

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143EF3T5G

osa: 150999

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114TF3T5G

osa: 143954

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
MUN2134T1
ON Semiconductor

MUN2134T1

osa: 1899

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
MUN5211T1G
ON Semiconductor

MUN5211T1G

osa: 163259

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
NSVMMUN2131LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2131LT1G

osa: 130439

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
SMUN2111T1G
ON Semiconductor

SMUN2111T1G

osa: 180947

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
FJN4305RTA
ON Semiconductor

FJN4305RTA

osa: 145093

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
MUN5112T1G
ON Semiconductor

MUN5112T1G

osa: 141842

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
FJY4009R
ON Semiconductor

FJY4009R

osa: 2005

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
NSVMMUN2237LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2237LT1G

osa: 170845

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
MUN5215T1
ON Semiconductor

MUN5215T1

osa: 1921

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista
NSVDTA144EET1G
ON Semiconductor

NSVDTA144EET1G

osa: 160376

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivomuslista