Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot
MBR1545CTG
ON Semiconductor

MBR1545CTG

osa: 84175

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR2545CTG
ON Semiconductor

MBR2545CTG

osa: 65407

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 620mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRD630CTT4G
ON Semiconductor

MBRD630CTT4G

osa: 130476

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SBX201C-L-TB-E
ON Semiconductor

SBX201C-L-TB-E

osa: 147746

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 2V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 320mV @ 1mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
MBRF20H150CTG
ON Semiconductor

MBRF20H150CTG

osa: 26677

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MUR3040PTG
ON Semiconductor

MUR3040PTG

osa: 4458

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SSRD8620CTT4G
ON Semiconductor

SSRD8620CTT4G

osa: 156137

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRD620CTT4
ON Semiconductor

MBRD620CTT4

osa: 4538

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
M1MA152WAT1
ON Semiconductor

M1MA152WAT1

osa: 4468

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
MMBD1405
ON Semiconductor

MMBD1405

osa: 119520

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
NTSJ20100CTG
ON Semiconductor

NTSJ20100CTG

osa: 78818

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 830mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR2060CTG
ON Semiconductor

MBR2060CTG

osa: 55917

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR20200CTTU
ON Semiconductor

MBR20200CTTU

osa: 49817

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
NRVUB1620CTT4G
ON Semiconductor

NRVUB1620CTT4G

osa: 48369

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MMBD1404
ON Semiconductor

MMBD1404

osa: 161071

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
SBE805-TL-W
ON Semiconductor

SBE805-TL-W

osa: 185940

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRB30H60CTT4G
ON Semiconductor

MBRB30H60CTT4G

osa: 74661

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 620mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURF1660CT
ON Semiconductor

MURF1660CT

osa: 4427

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEP16GTD
ON Semiconductor

FEP16GTD

osa: 4442

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SMMBD2837LT1G
ON Semiconductor

SMMBD2837LT1G

osa: 162652

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
MBRP400100CTLG
ON Semiconductor

MBRP400100CTLG

osa: 4448

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 830mV @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR20150CTTU
ON Semiconductor

MBR20150CTTU

osa: 47887

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRD660CTRLG
ON Semiconductor

MBRD660CTRLG

osa: 191453

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR1535CTG
ON Semiconductor

MBR1535CTG

osa: 88229

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FFL25U120DNTU
ON Semiconductor

FFL25U120DNTU

osa: 4465

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.5V @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURB1620CTG
ON Semiconductor

MURB1620CTG

osa: 46075

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURB1620CTT4G
ON Semiconductor

MURB1620CTT4G

osa: 80264

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor

NSVBAS21TMR6T1G

osa: 121448

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 250V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
FEP16ATD
ON Semiconductor

FEP16ATD

osa: 4459

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
NSVBAV70TT1G
ON Semiconductor

NSVBAV70TT1G

osa: 104546

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
MBRB1545CTG
ON Semiconductor

MBRB1545CTG

osa: 65436

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF30H150CTG
ON Semiconductor

MBRF30H150CTG

osa: 79588

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.11V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
NHP620MFDT3G
ON Semiconductor

NHP620MFDT3G

osa: 182877

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MSRD620CTT4G
ON Semiconductor

MSRD620CTT4G

osa: 104981

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MURB1620CTRG
ON Semiconductor

MURB1620CTRG

osa: 49522

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SHN2D02FUTW1T1G
ON Semiconductor

SHN2D02FUTW1T1G

osa: 168128

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista