Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF
EC4H08C-TL-H
ON Semiconductor

EC4H08C-TL-H

osa: 7215

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3.5V, Taajuus - Siirtyminen: 24GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Saada: 17dB, Teho - maks: 50mW,

Toivomuslista
FH105A-TR-E
ON Semiconductor

FH105A-TR-E

osa: 7198

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz, Saada: 10dB @ 1.5GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivomuslista
CPH6001A-TL-E
ON Semiconductor

CPH6001A-TL-E

osa: 125950

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 6.7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 800mW,

Toivomuslista
MMBTH81_D87Z
ON Semiconductor

MMBTH81_D87Z

osa: 7179

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivomuslista
CPH6020-TL-E
ON Semiconductor

CPH6020-TL-E

osa: 128147

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 8V, Taajuus - Siirtyminen: 16GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 13.5dB, Teho - maks: 700mW,

Toivomuslista
CPH6021-TL-H
ON Semiconductor

CPH6021-TL-H

osa: 179030

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 14dB @ 1GHz, Teho - maks: 700mW,

Toivomuslista
PN5179_D75Z
ON Semiconductor

PN5179_D75Z

osa: 7232

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
PN5179_D27Z
ON Semiconductor

PN5179_D27Z

osa: 4716

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
MMBTH10RG
ON Semiconductor

MMBTH10RG

osa: 132268

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Taajuus - Siirtyminen: 450MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivomuslista
MCH4013-TL-E
ON Semiconductor

MCH4013-TL-E

osa: 182705

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3.5V, Taajuus - Siirtyminen: 22.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Saada: 16dB, Teho - maks: 50mW,

Toivomuslista
CPH6003A-TL-E
ON Semiconductor

CPH6003A-TL-E

osa: 162174

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Saada: 9dB, Teho - maks: 800mW,

Toivomuslista
MPSH17RLRAG
ON Semiconductor

MPSH17RLRAG

osa: 7167

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 800MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Saada: 24dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
MCH4014-TL-H
ON Semiconductor

MCH4014-TL-H

osa: 136241

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 18dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
MMBTH10-4LT1
ON Semiconductor

MMBTH10-4LT1

osa: 4810

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 800MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivomuslista
MCH4016-TL-H
ON Semiconductor

MCH4016-TL-H

osa: 146016

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 18dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
NSVF4017SG4T1G
ON Semiconductor

NSVF4017SG4T1G

osa: 9938

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 17dB, Teho - maks: 450mW,

Toivomuslista
EC4H09C-TL-H
ON Semiconductor

EC4H09C-TL-H

osa: 7208

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3.5V, Taajuus - Siirtyminen: 26GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 120mW,

Toivomuslista
MMBT918
ON Semiconductor

MMBT918

osa: 167438

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 225mW,

Toivomuslista
MMBTH11
ON Semiconductor

MMBTH11

osa: 102202

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivomuslista
MMBTH24
ON Semiconductor

MMBTH24

osa: 192649

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 400MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivomuslista
PN3563_D75Z
ON Semiconductor

PN3563_D75Z

osa: 7246

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.5GHz, Saada: 14dB ~ 26dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
MSC2295-BT1G
ON Semiconductor

MSC2295-BT1G

osa: 7211

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 150MHz, Teho - maks: 200mW,

Toivomuslista
MMBTH10M3T5G
ON Semiconductor

MMBTH10M3T5G

osa: 110865

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 265mW,

Toivomuslista
NSVF4015SG4T1G
ON Semiconductor

NSVF4015SG4T1G

osa: 9920

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 17dB, Teho - maks: 450mW,

Toivomuslista
MSC3930-BT1G
ON Semiconductor

MSC3930-BT1G

osa: 7224

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 150MHz, Teho - maks: 200mW,

Toivomuslista
NSVF3007SG3T1G
ON Semiconductor

NSVF3007SG3T1G

osa: 9957

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Saada: 12dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
MSC3930-BT1
ON Semiconductor

MSC3930-BT1

osa: 7157

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 150MHz, Teho - maks: 200mW,

Toivomuslista
MPSH10_D27Z
ON Semiconductor

MPSH10_D27Z

osa: 7177

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
PN3563_D74Z
ON Semiconductor

PN3563_D74Z

osa: 7191

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.5GHz, Saada: 14dB ~ 26dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
KSP10TA
ON Semiconductor

KSP10TA

osa: 136673

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
FH102A-TR-E
ON Semiconductor

FH102A-TR-E

osa: 7259

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Saada: 12dB, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
PN5179_D26Z
ON Semiconductor

PN5179_D26Z

osa: 7225

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
MCH4021-TL-H
ON Semiconductor

MCH4021-TL-H

osa: 7338

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 8V, Taajuus - Siirtyminen: 16GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 17.5dB, Teho - maks: 400mW,

Toivomuslista
PN918_D74Z
ON Semiconductor

PN918_D74Z

osa: 7189

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 350mW,

Toivomuslista
NSVMMBTH10LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBTH10LT1G

osa: 177259

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivomuslista
MSD2714AT1G
ON Semiconductor

MSD2714AT1G

osa: 7212

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivomuslista