Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

1HP04CH-TL-W

1HP04CH-TL-W

osa: 100908

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 80mA, 10V,

Toivomuslista
1HN04CH-TL-W

1HN04CH-TL-W

osa: 117115

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 140mA, 10V,

Toivomuslista
2N7000-D75Z

2N7000-D75Z

osa: 99

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
2SK4094-1E

2SK4094-1E

osa: 20693

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
2SJ661-1E

2SJ661-1E

osa: 57846

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

Toivomuslista
2SK3746-1E

2SK3746-1E

osa: 15517

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
2SK3703-1E

2SK3703-1E

osa: 40945

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
2SJ652-1E

2SJ652-1E

osa: 33065

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

Toivomuslista
2SK3745LS-1E

2SK3745LS-1E

osa: 18892

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
2SK3747-1E

2SK3747-1E

osa: 15610

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
2SK4177-DL-1E

2SK4177-DL-1E

osa: 30646

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

osa: 57287

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

Toivomuslista
2N7000BU_T

2N7000BU_T

osa: 2253

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
2SK4066-DL-1EX

2SK4066-DL-1EX

osa: 2250

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
2SK4065-DL-1EX

2SK4065-DL-1EX

osa: 2210

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
2SJ661-1EX

2SJ661-1EX

osa: 2203

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

Toivomuslista
2SJ652-1EX

2SJ652-1EX

osa: 2120

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

Toivomuslista
2SK3816-DL-1EX

2SK3816-DL-1EX

osa: 2164

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

Toivomuslista
2SK3703-1EX

2SK3703-1EX

osa: 2124

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

Toivomuslista
2SJ661-DL-1EX

2SJ661-DL-1EX

osa: 2140

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

Toivomuslista
2SK4125-1EX

2SK4125-1EX

osa: 2103

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Toivomuslista
2SK4098FS

2SK4098FS

osa: 2085

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

Toivomuslista
2SK4125-1E

2SK4125-1E

osa: 6248

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Toivomuslista
2SK536-MTK-TB-E

2SK536-MTK-TB-E

osa: 198740

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

Toivomuslista
2SK4099LS-1E

2SK4099LS-1E

osa: 1876

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

Toivomuslista
2SK4124-1E

2SK4124-1E

osa: 6267

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Toivomuslista
2SK4087LS-1E

2SK4087LS-1E

osa: 1869

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Toivomuslista
2SK4088LS-1E

2SK4088LS-1E

osa: 1874

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

Toivomuslista
2SK4066-DL-1E

2SK4066-DL-1E

osa: 1810

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
2SK4085LS-1E

2SK4085LS-1E

osa: 1812

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Toivomuslista
2SK4066-1E

2SK4066-1E

osa: 1849

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
2SK3820-DL-1E

2SK3820-DL-1E

osa: 1839

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

Toivomuslista
2SK4065-DL-1E

2SK4065-DL-1E

osa: 1813

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
2SK3748-1E

2SK3748-1E

osa: 10717

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

Toivomuslista
2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E

osa: 1843

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
2N7002WST1G

2N7002WST1G

osa: 1836

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

Toivomuslista