Diodit - sillan tasasuuntaajat

Koti
Diodit - sillan tasasuuntaajat

Microsemi Corporation

APT75DL120HJ

osa: 3436

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 75A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 1200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF100H20G

osa: 1745

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 145A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 100A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF60H601G

osa: 2946

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 92A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 25µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30DF60HJ

osa: 4765

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30DF20HJ

osa: 6108

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 45A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF200H100G

osa: 1141

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 255A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 200A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1000V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT75DF170HJ

osa: 2789

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.7kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 75A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 1700V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF100H100G

osa: 1774

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 100A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1000V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT100DL60HJ

osa: 4271

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 100A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF60H1201G

osa: 2732

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 82A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60DF60HJ

osa: 3669

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 25µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF30H601G

osa: 3265

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 42A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF200H170G

osa: 851

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.7kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 200A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 350µA @ 1700V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF30H1201G

osa: 3161

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 43A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.1V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDR40X1601G

osa: 2893

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF200H60G

osa: 968

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 270A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 200A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 350µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DR160HJ

osa: 3690

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDC40H601G

osa: 840

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 800µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DC60HJ

osa: 933

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 800µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDC20H1201G

osa: 862

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 400µA @ 1200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDC20H601G

osa: 8742

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 400µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDC10H601G

osa: 8792

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DC120HJ

osa: 386

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 800µA @ 1200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT20DC120HJ

osa: 918

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 400µA @ 1200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60DF20HJ

osa: 4759

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT06DC60HJ

osa: 8736

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60DS20HJ

osa: 8775

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT75DL60HJ

osa: 8758

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 75A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 600V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60DS04HJ

osa: 8748

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 30mA @ 45V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60DS10HJ

osa: 8788

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 910mV @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2mA @ 100V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60DF100HJ

osa: 8782

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.8V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1000V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60DF120HJ

osa: 8700

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DS10HJ

osa: 8706

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 100V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT50DL120HJ

osa: 8760

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 50A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 1200V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DS04HJ

osa: 8718

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20mA @ 45V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT35DL120HJ

osa: 8751

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 1200V,

Toivomuslista

178

«
1
2
3
4
5
»