Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 34

JANS2N6250T1

osa: 6860

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 275V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N5662

osa: 6854

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 200nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N2904

osa: 6848

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N5153

osa: 6931

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N5015S

osa: 7006

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV2N6251T1

osa: 6843

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 350V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV2N3636L

osa: 3646

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 175V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N3741

osa: 2690

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N3867

osa: 6917

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N5015

osa: 7088

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N3439L

osa: 6770

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 350V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV2N2904

osa: 6865

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N6211

osa: 6827

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 225V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 125mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV2N6350

osa: 6853

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N3585

osa: 6823

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N3251AUB

osa: 6859

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV2N6546

osa: 6602

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N5416U4

osa: 5694

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N3634UB

osa: 3632

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANS2N7372

osa: 6912

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV2N3251AUB

osa: 6811

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV2N6301

osa: 1233

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N5416

osa: 6863

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N2905

osa: 6855

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N5005

osa: 476

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N3019/TR

osa: 7078

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N3771

osa: 6805

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N5415

osa: 6937

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N708

osa: 6911

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 25nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N5004

osa: 536

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N6212

osa: 6703

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 125mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV2N6250

osa: 1072

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 275V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N5303

osa: 6662

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 4A, 20A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANS2N5416U4

osa: 6700

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX2N7373

osa: 6854

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN2N5662

osa: 6846

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 200nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista