Diodit - Tasasuuntaajat - Single

Koti
Diodit - Tasasuuntaajat - Single

Microsemi Corporation

APT15DQ60BG

osa: 29429

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 19ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT10SCD120K

osa: 6853

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15DQ60KG

osa: 44440

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 19ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15DQ120KG

osa: 35058

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.3V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 240ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT75DQ60BG

osa: 15462

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 75A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 31ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT20SCD65K

osa: 9366

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 32A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT10SCD65K

osa: 12409

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 17A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60D60BG

osa: 11579

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 130ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT10SCD120B

osa: 6623

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 36A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT20SCD120B

osa: 4642

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 68A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30SCD120B

osa: 3455

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 99A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT20SCD120S

osa: 4145

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 68A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30S20BG

osa: 18686

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 45A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 55ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60S20BG

osa: 12393

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 55ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30DQ60BG

osa: 24299

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15D30KG

osa: 1168

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 32ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30S20SG

osa: 532

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 45A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 55ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60D30BG

osa: 571

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 38ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15D40KG

osa: 614

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15S20KG

osa: 5116

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 830mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 80ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DQ60BG

osa: 23953

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT100S20BG

osa: 9524

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 70ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DQ100BG

osa: 19872

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D60BG

osa: 17982

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 85ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX1N6622

osa: 3139

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 660V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 1.2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV1N645-1

osa: 1860

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 225V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 400mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX1N3595US

osa: 3443

Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN1N3174

osa: 65

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.55V @ 940A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX1N3070-1

osa: 1471

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 175V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTXV1N5618

osa: 5261

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JANTX1N5551US

osa: 3807

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 9A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN1N5802URS

osa: 3415

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 875mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN1N3614

osa: 5863

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

SBR6030L

osa: 578

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 480mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN1N5809URS

osa: 3811

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 875mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

JAN1N5804URS

osa: 3402

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 875mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista

2231

«
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
»