Transistorit - FETit, MOSFETit - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 17

APT38F80B2

osa: 4121

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT44F80L

osa: 3710

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 24A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT29F80J

osa: 2342

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 24A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT22F80S

osa: 7023

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30M70BVFRG

osa: 4897

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 300V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT12057LFLLG

osa: 2067

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 11A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT20M45BVFRG

osa: 6139

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT20M38SVRG

osa: 4425

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT11F80B

osa: 12361

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT10078BLLG

osa: 3086

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 7A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT34F60B

osa: 4766

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT1201R4BFLLG

osa: 3577

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM10DAM02G

osa: 663

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 495A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM100UM60FAG

osa: 463

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 129A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 64.5A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT58M50JCU2

osa: 2464

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM120UM70DAG

osa: 295

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 171A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 85.5A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM50SKM17G

osa: 618

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM10SKM05TG

osa: 1206

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 278A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM100UM45FAG

osa: 257

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 215A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 107.5A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT50N60JCCU2

osa: 2413

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT58M50JU3

osa: 3052

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40N60JCU3

osa: 3509

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM100DA33T1G

osa: 2515

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM120U10SAG

osa: 452

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 116A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM120DA30T1G

osa: 1928

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT10M11JVRU2

osa: 2763

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 142A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 71A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTC60SKM24CT1G

osa: 1337

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM50DAM17G

osa: 699

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM10SKM02G

osa: 659

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 495A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM20UM04SAG

osa: 585

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 417A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 208.5A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT5010JLLU3

osa: 2290

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM50UM13SAG

osa: 475

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 335A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 167.5A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM20SKM08TG

osa: 1154

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 208A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM20DAM05G

osa: 720

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 317A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTM20DAM08TG

osa: 1126

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 208A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V,

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT100MC120JCU2

osa: 372

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 143A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V,

Toivomuslista