Muisti

MT35XL512ABA1G12-0AAT

osa: 1285

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT53D4DASB-DC TR

osa: 9317

MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR

osa: 2697

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

osa: 875

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 4Gb (64M x 64), Kellotaajuus: 533MHz,

MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D

osa: 1987

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 64Gb (1G x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT35XL256ABA1GSF-0AAT

osa: 1281

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT49H32M9SJ-25:B TR

osa: 3260

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 288Mb (32M x 9), Kellotaajuus: 400MHz,

MTFC16GANALEA-WT TR

osa: 214

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

osa: 6680

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR

osa: 2651

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT53D4DCTW-DC TR

osa: 9396

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

osa: 6613

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR

osa: 9491

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MTFC16GAPALBH-AAT ES

osa: 7472

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

osa: 2659

ECF440AACCN-P4-Y3

osa: 668

MT53D8DARG-DC

osa: 7119

MT29F32G08ABCABH1-10Z:A

osa: 2768

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MTFC64GANALAM-WT ES TR

osa: 509

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT53D4D1ABP-DC

osa: 8413

MT53D4DBKA-DC TR

osa: 9366

MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7

osa: 5499

MTFC8GAMALNA-AIT ES TR

osa: 633

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C

osa: 1569

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MTFC128GAPALNA-AAT ES TR

osa: 51

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E

osa: 6579

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D TR

osa: 3280

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 64Gb (2G x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT29F2G16ABAFAWP:F TR

osa: 778

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Gb (128M x 16),

ECF00453ZCN-Y3

osa: 4104

MTFC8GAMALBH-AAT ES

osa: 7776

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M

osa: 7997

MT53B2DARN-DC

osa: 5747

MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E

osa: 3699

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 64Gb (1G x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR

osa: 3113

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

osa: 9455

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT35XL512ABA1G12-0AAT TR

osa: 3515

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,