Transistorit - IGBT-moduulit

IXSN55N120AU1

osa: 581

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 110A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A,

MUBW6-06A6

osa: 1694

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Teho - maks: 38W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A,

MIO600-65E11

osa: 84

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 600A,

MWI451-17E9

osa: 560

MIXA80W1200TED

osa: 813

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 77A,

MIXA10W1200TMH

osa: 2675

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Teho - maks: 65W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 9A,

VWI20-06P1

osa: 1609

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 19A, Teho - maks: 73W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A,

VII50-06P1

osa: 3064

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42.5A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A,

MITA15WB1200TMH

osa: 483

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 120W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A,

MIXA81WB1200TEH

osa: 695

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

MIAA10WB600TMH

osa: 2322

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Teho - maks: 70W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A,

MWI100-06A8T

osa: 745

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 410W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

IXXN100N60B3H1

osa: 2591

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A,

MUBW50-12E8

osa: 3072

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

VDI125-12P1

osa: 308

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 138A, Teho - maks: 568W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 125A,

VID100-06P1

osa: 3084

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 93A, Teho - maks: 294W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

IXXN200N60B3H1

osa: 2452

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A,

MIXA10WB1200TML

osa: 2072

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Teho - maks: 63W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 9A,

IXGN100N170

osa: 1645

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Teho - maks: 735W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

IXGN120N60A3D1

osa: 2447

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 595W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A,

MITB15WB1200TMH

osa: 1786

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Teho - maks: 100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A,

MWI60-06G6K

osa: 1612

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Teho - maks: 180W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A,

MIAA10WF600TMH

osa: 2488

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Teho - maks: 70W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A,

MITA30WB600TMH

osa: 1914

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A,

MWI150-06A8T

osa: 527

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A,

VIO75-06P1

osa: 430

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 69A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

MWI450-12E9

osa: 563

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 640A, Teho - maks: 2200W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 450A,

IXGN100N120

osa: 560

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A,

IXSN35N120AU1

osa: 3072

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A,

MIXA30W1200TED

osa: 1422

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 43A, Teho - maks: 150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

MUBW30-12E6K

osa: 269

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 30A,

MIXA30W1200TML

osa: 1863

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 43A, Teho - maks: 150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

MUBW45-12T6K

osa: 1305

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 43A, Teho - maks: 160W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 45A,

VIO50-06P1

osa: 5340

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42.5A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A,

MWI30-12E6K

osa: 431

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 20A,

MWI75-12E8

osa: 419

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A,