Transistorit - IGBT - Single

IXGQ85N33PCD1

osa: 30333

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Teho - maks: 150W,

IXGH4N250C

osa: 4672

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 46A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 4A, Teho - maks: 150W,

IXYL40N250CV1

osa: 1018

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 577W,

IXYA8N90C3D1

osa: 20138

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Teho - maks: 125W,

IXGH28N120BD1

osa: 5867

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A, Teho - maks: 250W,

IXGX75N250

osa: 965

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 530A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A, Teho - maks: 780W,

IXBL64N250

osa: 1346

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 116A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 750A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A, Teho - maks: 500W,

IXYX25N250CV1HV

osa: 1951

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 235A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 937W,

IXGH48N60C3

osa: 12225

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 250A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

IXBK75N170A

osa: 1613

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 110A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A, Teho - maks: 1040W,

IXGL75N250

osa: 852

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 110A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 580A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A, Teho - maks: 430W,

IXBT32N300HV

osa: 1825

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A, Teho - maks: 400W,

IXGH30N120BD1

osa: 6535

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A,

IXGX300N60B3

osa: 4463

IXGH40N120C3

osa: 7139

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 380W,

IXGP20N120BD1

osa: 14743

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 190W,

IXBH14N250

osa: 2070

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V,

IXBH14N250A

osa: 1834

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V,

IXGK300N60B3

osa: 4383

IXGA20N120

osa: 12368

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 150W,

IXGH40N60A3D1

osa: 12187

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V,

IXYP10N65C3

osa: 43012

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 54A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Teho - maks: 160W,

IXGA12N120A3

osa: 21280

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

IXGH90N60B3

osa: 4495

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 500A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 90A, Teho - maks: 660W,

IXYN30N170CV1

osa: 2104

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 88A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 275A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 680W,

IXGH24N170A

osa: 5525

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A, Teho - maks: 250W,

IXXK160N65B4

osa: 4744

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 310A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 860A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 160A, Teho - maks: 940W,

IXXH75N60C3

osa: 8125

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 750W,

IXYP50N65C3

osa: 10758

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 250A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A, Teho - maks: 600W,

IXGH120N30B3

osa: 12088

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 480A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A, Teho - maks: 540W,

IXGH48N60A3

osa: 14637

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A, Teho - maks: 300W,

IXYH100N65A3

osa: 196

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 480A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Teho - maks: 470W,

IXGF20N250

osa: 2052

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 100W,

IXDH20N120

osa: 10873

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 38A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 200W,

IXGT32N170A

osa: 4029

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A, Teho - maks: 350W,

IXGK400N30B3

osa: 4517

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A,