FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 150A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,
FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 110A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 160A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1000A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 800A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA,
FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA,
FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 118A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
