Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

FMD40-06KC

FMD40-06KC

osa: 3994

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
IXFT50N50P3

IXFT50N50P3

osa: 7287

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista
IXFB44N100Q3

IXFB44N100Q3

osa: 2108

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 22A, 10V,

Toivomuslista
IXKH24N60C5

IXKH24N60C5

osa: 12697

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista
IXTP6N100D2

IXTP6N100D2

osa: 11132

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 3A, 0V,

Toivomuslista
IXKP20N60C5M

IXKP20N60C5M

osa: 17803

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
IXFQ50N60P3

IXFQ50N60P3

osa: 9181

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
IXTP3N100D2

IXTP3N100D2

osa: 22814

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V,

Toivomuslista
IXFQ60N50P3

IXFQ60N50P3

osa: 9192

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
IXFP220N06T3

IXFP220N06T3

osa: 20734

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista
IXFN36N60

IXFN36N60

osa: 2369

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
IXFH24N50

IXFH24N50

osa: 6776

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista
IXTH2N300P3HV

IXTH2N300P3HV

osa: 2055

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 3000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
IXFA72N30X3

IXFA72N30X3

osa: 1049

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 300V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 72A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 36A, 10V,

Toivomuslista
IXFB60N80P

IXFB60N80P

osa: 3142

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
IXTK140N30P

IXTK140N30P

osa: 3712

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 300V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 70A, 10V,

Toivomuslista
IXFH26N60P

IXFH26N60P

osa: 10163

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
IXKK85N60C

IXKK85N60C

osa: 1958

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 55A, 10V,

Toivomuslista
IXFN210N20P

IXFN210N20P

osa: 2061

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 188A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 105A, 10V,

Toivomuslista
IXFK80N50Q3

IXFK80N50Q3

osa: 2871

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 40A, 10V,

Toivomuslista
IXTK120N65X2

IXTK120N65X2

osa: 3828

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 60A, 10V,

Toivomuslista
IXFX48N60Q3

IXFX48N60Q3

osa: 3138

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 24A, 10V,

Toivomuslista
IXFH58N20

IXFH58N20

osa: 6325

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 29A, 10V,

Toivomuslista
IXFT140N20X3HV

IXFT140N20X3HV

osa: 338

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 70A, 10V,

Toivomuslista
IXFB210N30P3

IXFB210N30P3

osa: 3250

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 300V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 210A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 105A, 10V,

Toivomuslista
IXFP270N06T3

IXFP270N06T3

osa: 15902

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 270A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista
IXTK110N20L2

IXTK110N20L2

osa: 2654

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 55A, 10V,

Toivomuslista
IXFH50N85X

IXFH50N85X

osa: 5592

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 850V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
IXFH52N50P2

IXFH52N50P2

osa: 8172

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Toivomuslista
VMO580-02F

VMO580-02F

osa: 577

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 580A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 430A, 10V,

Toivomuslista
IXTX90N25L2

IXTX90N25L2

osa: 2561

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 45A, 10V,

Toivomuslista
IXFH26N50P3

IXFH26N50P3

osa: 11112

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

Toivomuslista
IXFN27N80

IXFN27N80

osa: 2244

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 13.5A, 10V,

Toivomuslista
IXTA8N65X2

IXTA8N65X2

osa: 26888

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Toivomuslista
IXFT36N50P

IXFT36N50P

osa: 8362

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
IXFH24N80P

IXFH24N80P

osa: 7655

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista