Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 133MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Muistin koko: 2Gb (64M x 32), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (4M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 4ms,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kellotaajuus: 80MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 80MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (512K x 18), Kellotaajuus: 117MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 1ms,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (512K x 18), Kellotaajuus: 200MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 933MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 167MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Muistin koko: 1Gb (32M x 32), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
