Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 80MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 400µs,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 200MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 143MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (256K x 36), Kellotaajuus: 200MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 117MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 400MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 117MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 200MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (256K x 36), Kellotaajuus: 117MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 143MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 143MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 288Mb (16M x 18), Kellotaajuus: 300MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (512K x 18), Kellotaajuus: 200MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM - EDO, Muistin koko: 16Mb (1M x 16),
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 667MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 1ms,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 133MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 36Mb (2M x 18), Kellotaajuus: 117MHz,
