Muisti

IS42SM16160E-6BLI-TR

osa: 5036

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

IS61NLP25636A-200B2I-TR

osa: 2422

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (256K x 36), Kellotaajuus: 200MHz,

IS49NLS18320-25BLI

osa: 1359

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

IS61QDB21M36A-250M3L

osa: 2556

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QUAD, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

IS45S32400E-6BLA1

osa: 5941

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,

IS49NLC18160-25BL

osa: 9822

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 288Mb (16M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

IS43LR32800F-6BL

osa: 7077

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

IS62WV25616DALL-55BI

osa: 4220

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

IS42S16320B-6BLI-TR

osa: 8550

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

IS42SM32400G-6BLI-TR

osa: 5542

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,

IS45S16160D-7TLA2

osa: 8191

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 143MHz,

IS42R32800J-7TLI

osa: 2937

IS41C16257C-35TLI-TR

osa: 2917

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM - FP, Muistin koko: 4Mb (256K x 16),

IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR

osa: 2227

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 117MHz,

IS49NLS96400-33BL

osa: 1779

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (64M x 9), Kellotaajuus: 300MHz,

IS49NLC36160-25BLI

osa: 135

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 400MHz,

IS61LF51236A-7.5B3LI

osa: 2153

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 117MHz,

IS29LV032B-70BLI

osa: 431

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

IS62WV25616DBLL-45BI-TR

osa: 4280

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR

osa: 5389

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

IS25LQ512A-JNLE

osa: 2303

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 80MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 400µs,

IS42S32200E-5TL

osa: 5546

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 200MHz,

IS42RM32400G-6BLI-TR

osa: 3071

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,

IS43LR32200B-6BLI-TR

osa: 7018

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

IS46DR16640B-25EBLA1

osa: 9167

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

IS66WVE1M16BLL-70BLI

osa: 3301

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

IS25LD020-JKLE-TR

osa: 1955

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

IS42VM32200K-75BLI

osa: 5996

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 133MHz,

IS25CD512-JNLE-TR

osa: 1926

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

IS42RM32800D-75BLI-TR

osa: 3513

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 133MHz,

IS43TR16128A-15HBL-TR

osa: 7646

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

IS43LR32100C-6BL

osa: 6890

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 32Mb (1M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

IS62WV102416BLL-25MI

osa: 3066

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

IS46LR32160B-6BLA2-TR

osa: 4477

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

IS62WV25616DBLL-45BLI

osa: 3180

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

IS61NVP51236-200B3LI

osa: 2539

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 200MHz,