Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

BC858BE6433HTMA1

osa: 191126

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

BC858AE6327HTSA1

osa: 158425

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

BC858CE6327HTSA1

osa: 144745

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BCW60DE6327HTSA1

osa: 192435

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

BCX70GE6327HTSA1

osa: 146623

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

BCW60CE6327HTSA1

osa: 191193

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

BCX70JE6433HTMA1

osa: 181931

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

BCW60BE6327HTSA1

osa: 103008

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

BCX70HE6433HTMA1

osa: 176387

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

BC847CE6433HTMA1

osa: 166679

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC850BE6327HTSA1

osa: 195621

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC850CE6327HTSA1

osa: 190672

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC849CE6327HTSA1

osa: 102641

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC847BE6433HTMA1

osa: 103340

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC848CE6327HTSA1

osa: 106718

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC848BE6433HTMA1

osa: 4684

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC848AE6327HTSA1

osa: 132763

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

BC848CE6433HTMA1

osa: 150577

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC848BE6327HTSA1

osa: 194410

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

PZTA14H6327XTSA1

osa: 6610

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

CHIPT0204GUE6327X6SA1

osa: 6874

PZTA42H6327XTSA1

osa: 6654

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SMBTA 92 E6433

osa: 6164

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

PZTA14E6327HTSA1

osa: 6209

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

MMBT3904LT3XT

osa: 6212

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

PZTA42E6327HTSA1

osa: 6629

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SMBTA 42 E6433

osa: 6167

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SMBT 3906 E6767

osa: 6663

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

SMBT 3906 B5003

osa: 6128

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

SMBT 3904 B5003

osa: 6168

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CHIPT0110L3E6762SX2XA1

osa: 5211

SMBTA64E6327

osa: 5451

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

MMBTA92LT1

osa: 5524

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

SMBTA06E6433HTMA1

osa: 140726

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

SMBT2222AE6327HTSA1

osa: 176038

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

PZTA92E6433HTMA1

osa: 4847

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,