Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

Infineon Technologies

IRFHM8363TRPBF

osa: 191314

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Toivomuslista

IPG20N04S4L11AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L11AATMA1

osa: 165940

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA,

Toivomuslista

IPG20N06S4L11AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11AATMA1

osa: 94288

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7309TRPBF

osa: 150382

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

IPG20N04S408ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S408ATMA1

osa: 104533

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA,

Toivomuslista

IPG20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L35AATMA1

osa: 155833

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA,

Toivomuslista

IPG20N04S412ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S412ATMA1

osa: 172931

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA,

Toivomuslista

IPG20N10S436AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S436AATMA1

osa: 139478

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7331TRPBF

osa: 196280

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7104TRPBF

osa: 104561

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7379TRPBF

osa: 199093

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

IPG20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L22AATMA1

osa: 108999

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF6802SDTRPBF

osa: 60962

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

Toivomuslista

IPG20N06S4L26ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L26ATMA1

osa: 197280

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRLHS6376TRPBF

osa: 115333

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7902TRPBF

osa: 168640

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.4A, 9.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7311TRPBF

osa: 168715

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7316TRPBF

osa: 172337

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7904TRPBF

osa: 188754

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.6A, 11A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7303TRPBF

osa: 185377

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

IPG20N04S408AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S408AATMA1

osa: 101294

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7342TRPBF

osa: 156976

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7105TRPBF

osa: 196914

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

IPG16N10S4L61AATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S4L61AATMA1

osa: 195154

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA,

Toivomuslista

IPG20N06S4L14ATMA2

Infineon Technologies

IPG20N06S4L14ATMA2

osa: 126778

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7304

osa: 40531

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF8313TRPBF

osa: 190133

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRFH4251DTRPBF

osa: 49673

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 64A, 188A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

Toivomuslista

IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11ATMA1

osa: 97219

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7341TRPBF

osa: 73259

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7319TRPBF

osa: 180145

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7389TRPBF

osa: 166810

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7907TRPBF

osa: 173843

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.1A, 11A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRFHM792TRPBF

osa: 82378

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF7506TRPBF

osa: 149700

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF9362TRPBF

osa: 188725

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

Toivomuslista

384

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»