Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

IPP80R900P7XKSA1

Infineon Technologies

IPP80R900P7XKSA1

osa: 40478

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.2A, 10V,

Toivomuslista

IPP50R380CEXKSA1

Infineon Technologies

IPP50R380CEXKSA1

osa: 2653

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 13V,

Toivomuslista

IPW60R099CPFKSA1

Infineon Technologies

IPW60R099CPFKSA1

osa: 2342

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRFBA1405PPBF

osa: 23431

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 174A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 101A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRLR3705ZPBF

osa: 42598

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V,

Toivomuslista

SPP20N60C3XKSA1

Infineon Technologies

SPP20N60C3XKSA1

osa: 15072

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

Toivomuslista

IPA041N04NGXKSA1

Infineon Technologies

IPA041N04NGXKSA1

osa: 60098

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 70A, 10V,

Toivomuslista

IPA60R385CPXKSA1

Infineon Technologies

IPA60R385CPXKSA1

osa: 29565

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRFZ44VZSPBF

osa: 31735

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF5210LPBF

osa: 26047

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 38A, 10V,

Toivomuslista

IPP120N04S302AKSA1

Infineon Technologies

IPP120N04S302AKSA1

osa: 19704

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRFZ44ESTRLPBF

osa: 107278

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 29A, 10V,

Toivomuslista

IPU95R450P7AKMA1

Infineon Technologies

IPU95R450P7AKMA1

osa: 2929

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 950V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.2A, 10V,

Toivomuslista

IPA80R280P7XKSA1

Infineon Technologies

IPA80R280P7XKSA1

osa: 22078

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 7.2A, 10V,

Toivomuslista

IPP60R125C6XKSA1

Infineon Technologies

IPP60R125C6XKSA1

osa: 2766

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

Toivomuslista

IPP029N06NAKSA1

Infineon Technologies

IPP029N06NAKSA1

osa: 29786

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF3808STRLPBF

osa: 46803

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 106A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF1310NPBF

osa: 42828

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 22A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRLIZ44NPBF

osa: 46079

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V,

Toivomuslista

IPW60R190E6FKSA1

Infineon Technologies

IPW60R190E6FKSA1

osa: 3332

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V,

Toivomuslista

IPP015N04NGXKSA1

Infineon Technologies

IPP015N04NGXKSA1

osa: 17642

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF200P222

osa: 6749

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 182A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 82A, 10V,

Toivomuslista

IRFS4310ZTRLPBF

Infineon Technologies

IRFS4310ZTRLPBF

osa: 43733

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,

Toivomuslista

IPP65R110CFDAAKSA1

Infineon Technologies

IPP65R110CFDAAKSA1

osa: 9871

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 31.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

Toivomuslista

IPP65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

IPP65R225C7XKSA1

osa: 24190

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 4.8A, 10V,

Toivomuslista

IPA50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

IPA50R250CPXKSA1

osa: 3175

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Toivomuslista

IPSA70R2K0P7SAKMA1

Infineon Technologies

IPSA70R2K0P7SAKMA1

osa: 2932

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

IPAW60R280CEXKSA1

Infineon Technologies

IPAW60R280CEXKSA1

osa: 69618

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.5A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRF4905LPBF

osa: 29799

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 42A, 10V,

Toivomuslista

IPP052N06L3GXKSA1

Infineon Technologies

IPP052N06L3GXKSA1

osa: 49565

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

IRFP4227PBF

osa: 16503

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 46A, 10V,

Toivomuslista

IPP80P03P4L04AKSA1

Infineon Technologies

IPP80P03P4L04AKSA1

osa: 33447

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista

IPAN80R450P7XKSA1

Infineon Technologies

IPAN80R450P7XKSA1

osa: 2765

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

IPP100N10S305AKSA1

Infineon Technologies

IPP100N10S305AKSA1

osa: 20646

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista

IPP040N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

IPP040N06N3GXKSA1

osa: 39840

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

Toivomuslista

IRF100P219XKMA1

Infineon Technologies

IRF100P219XKMA1

osa: 2602

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista

3600

«
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
»