Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Single
BSZ130N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ130N03LSGATMA1

osa: 21600

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSC050N04LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC050N04LSGATMA1

osa: 103781

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 85A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
BSZ105N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ105N04NSGATMA1

osa: 21594

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ22DN20NS3GATMA1

osa: 21553

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 3.5A, 10V,

Toivomuslista
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSC070N10NS5ATMA1

osa: 104340

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V,

Toivomuslista
BSZ025N04LSATMA1
Infineon Technologies

BSZ025N04LSATMA1

osa: 110699

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSS192PH6327FTSA1
Infineon Technologies

BSS192PH6327FTSA1

osa: 153059

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

Toivomuslista
BSO301SPHXUMA1
Infineon Technologies

BSO301SPHXUMA1

osa: 21599

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 10V,

Toivomuslista
BSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies

BSB056N10NN3GXUMA1

osa: 51208

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 83A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
BSS138NH6433XTMA1
Infineon Technologies

BSS138NH6433XTMA1

osa: 134179

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Toivomuslista
BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL211SPH6327XTSA1

osa: 188020

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Toivomuslista
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS314PEH6327XTSA1

osa: 128504

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

Toivomuslista
BSP299H6327XUSA1
Infineon Technologies

BSP299H6327XUSA1

osa: 143742

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

Toivomuslista
BSC080N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC080N03MSGATMA1

osa: 133930

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 53A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
BSC030N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSC030N04NSGATMA1

osa: 173862

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ520N15NS3GATMA1

osa: 32282

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista
BSR202NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR202NL6327HTSA1

osa: 32267

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Toivomuslista
BSC031N06NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC031N06NS3GATMA1

osa: 86039

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSC010NE2LSATMA1

osa: 32277

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 39A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
BSZ0902NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ0902NSATMA1

osa: 32305

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSS806NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS806NH6327XTSA1

osa: 131359

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Toivomuslista
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ097N04LSGATMA1

osa: 32268

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSR802NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR802NL6327HTSA1

osa: 38769

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 2.5V,

Toivomuslista
BSC100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC100N06LS3GATMA1

osa: 106178

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSZ110N08NS5ATMA1

osa: 189666

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ086P03NS3GATMA1

osa: 43035

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSC009NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSC009NE2LSATMA1

osa: 43056

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 41A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
BSZ040N04LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ040N04LSGATMA1

osa: 177522

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSZ060NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSZ060NE2LSATMA1

osa: 43085

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSZ058N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ058N03LSGATMA1

osa: 43025

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
BSS215PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS215PH6327XTSA1

osa: 170066

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista
BSS205NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS205NH6327XTSA1

osa: 139195

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Toivomuslista
BSC050N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC050N03LSGATMA1

osa: 79622

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
BSC010NE2LSIATMA1
Infineon Technologies

BSC010NE2LSIATMA1

osa: 53791

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.05 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
BTS244ZE3043AKSA2
Infineon Technologies

BTS244ZE3043AKSA2

osa: 34547

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Toivomuslista
BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS119NH6327XTSA1

osa: 140931

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 190mA, 10V,

Toivomuslista