Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

BSC0906NSATMA1

osa: 186905

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 63A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSZ068N06NSATMA1

Infineon Technologies

BSZ068N06NSATMA1

osa: 182964

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

BSC090N03LSGATMA1

Infineon Technologies

BSC090N03LSGATMA1

osa: 170812

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 48A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSC014N04LSTATMA1

Infineon Technologies

BSC014N04LSTATMA1

osa: 16515

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

BSZ086P03NS3EGATMA1

Infineon Technologies

BSZ086P03NS3EGATMA1

osa: 16570

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

BSC014N04LSIATMA1

Infineon Technologies

BSC014N04LSIATMA1

osa: 61407

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

BSC160N15NS5ATMA1

Infineon Technologies

BSC160N15NS5ATMA1

osa: 72783

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,

Toivomuslista

BSC026NE2LS5ATMA1

Infineon Technologies

BSC026NE2LS5ATMA1

osa: 154580

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 82A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BSC0901NSATMA1

osa: 16599

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSZ088N03LSGATMA1

Infineon Technologies

BSZ088N03LSGATMA1

osa: 162357

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BSZ0589NSATMA1

osa: 152540

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 8A, 10V,

Toivomuslista

BSC020N03MSGATMA1

Infineon Technologies

BSC020N03MSGATMA1

osa: 118300

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSC036NE7NS3GATMA1

Infineon Technologies

BSC036NE7NS3GATMA1

osa: 50526

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

BSC010N04LSTATMA1

Infineon Technologies

BSC010N04LSTATMA1

osa: 16526

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 39A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

BSC097N06NSATMA1

Infineon Technologies

BSC097N06NSATMA1

osa: 179136

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 40A, 10V,

Toivomuslista

BSC900N20NS3GATMA1

Infineon Technologies

BSC900N20NS3GATMA1

osa: 16593

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 7.6A, 10V,

Toivomuslista

BSZ165N04NSGATMA1

Infineon Technologies

BSZ165N04NSGATMA1

osa: 16510

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), 31A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

BSC130P03LSGAUMA1

Infineon Technologies

BSC130P03LSGAUMA1

osa: 16579

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 22.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 22.5A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BSZ0909NSATMA1

osa: 159981

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 34V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 36A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

BSZ088N03MSGATMA1

Infineon Technologies

BSZ088N03MSGATMA1

osa: 143671

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

BSB014N04LX3GXUMA1

Infineon Technologies

BSB014N04LX3GXUMA1

osa: 16560

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 180A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSZ018NE2LSIATMA1

Infineon Technologies

BSZ018NE2LSIATMA1

osa: 16507

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies

BSC882N03LSGATMA1

osa: 146645

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 34V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSZ075N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

BSZ075N08NS5ATMA1

osa: 125045

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

BSB013NE2LXIXUMA1

Infineon Technologies

BSB013NE2LXIXUMA1

osa: 16579

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 163A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSC024NE2LSATMA1

Infineon Technologies

BSC024NE2LSATMA1

osa: 16599

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSC025N03MSGATMA1

Infineon Technologies

BSC025N03MSGATMA1

osa: 143497

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta). 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSC120N03LSGATMA1

Infineon Technologies

BSC120N03LSGATMA1

osa: 105622

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 39A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSC034N03LSGATMA1

Infineon Technologies

BSC034N03LSGATMA1

osa: 197142

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSC017N04NSGATMA1

Infineon Technologies

BSC017N04NSGATMA1

osa: 16503

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

BSB028N06NN3GXUMA1

Infineon Technologies

BSB028N06NN3GXUMA1

osa: 16573

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSC030N03LSGATMA1

Infineon Technologies

BSC030N03LSGATMA1

osa: 181445

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

BSZ100N03MSGATMA1

Infineon Technologies

BSZ100N03MSGATMA1

osa: 155577

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

BSP320SH6327XTSA1

Infineon Technologies

BSP320SH6327XTSA1

osa: 127092

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Toivomuslista

BSC060N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

BSC060N10NS3GATMA1

osa: 71214

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14.9A (Ta), 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BUZ73L

osa: 92

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

Toivomuslista

3600

«
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
»